電子設備、儀器和元件行業(yè)：美光科技，乘AI之東風，存儲龍頭高速增長.pdf

電子設備、儀器和元件行業(yè)：美光科技，乘AI之東風，存儲龍頭高速增長。

存儲：數(shù)據(jù)存儲之基石，周期成長屬性突出

存儲器是用來存儲數(shù)據(jù)、信息和各類程序軟件的記憶部件。RAM、ROM 為半導體存儲的核心 產品品類；其中，RAM 以 DRAM 為主、ROM 以 NAND Flash 為主。DRAM 被廣泛應用在主 機內存上，主要分為 DDR、LPDDR、GDDR、HBM 等；NAND Flash 被廣泛應用在資料存儲。 周期成長屬性突出、競爭格局集中、重資本投入。存儲行業(yè)市場規(guī)模在周期波動中呈現(xiàn)出持續(xù) 增長之勢，主要系存儲位元需求整體呈現(xiàn)逐年提升，產品價格的周期性變化使得行業(yè)規(guī)模在波 動中持續(xù)增長。我們預計 2026 年存儲行業(yè)市場規(guī)模將超 3000 億美元。存儲行業(yè)呈現(xiàn)出寡頭 競爭的格局。其中，DRAM（含 HBM）的主要玩家為三星、海力士、美光；NAND Flash 的主 要玩家為三星、海力士、美光、閃迪、鎧俠。存儲行業(yè)的生產模式為 IDM 的模式，近年來， 存儲器資本開支占存儲器營收的 30%-40%，行業(yè)重資本屬性突出。

AI 驅動存儲技術升級之際、需求持續(xù)擴張

AI 時代，數(shù)據(jù)中心將完全為 AI 構建，AI 數(shù)據(jù)中心的存儲通過將 HBM、DRAM、NAND Flash 等不同傳輸速度等存儲進行分級搭建，有效保證了高效的數(shù)據(jù)傳輸，用于支持復雜的 AI 計算； 在減少數(shù)據(jù)中心的瓶頸的同時，亦降低總擁有成本。 我們認為，伴隨著大模型參數(shù)的持續(xù)增加及推理時代的來臨，AI 驅動 DRAM、NAND Flash 存 儲需求高速擴張，HBM、CXL 內存、HBF 等技術升級趨勢亦非常明確。據(jù)美光預計，HBM 市 場規(guī)模有望于 2028 年達 1000 億美元，2025-2028 年 CAGR 達 40%，HBM4 將于 2026 年正 式放量。Flash 方面，伴隨著 KV cache 卸載至 NAND Flash，NAND Flash 市場規(guī)模有望迎來 爆發(fā)式增長；以英偉達 ICMS 平臺為例，可為每顆 GPU 額外提供翻倍式的 NAND Flash 容量。 在創(chuàng)新維度，HBF 應用而生；HBF 與 HBM 結合，可為 GPU 提供高帶寬、大容量的存儲組合。

美光科技：乘 AI 之東風，存儲龍頭高速增長

美光科技是全球存儲的龍頭企業(yè)，以 2025 年統(tǒng)計口徑看，公司 DRAM、NAND Flash 全球市 占率分別為 23%、13%。公司成立于 1978 年，美光科技在 45 年的發(fā)展史中始終保持產品的 推出處于業(yè)內領先水平；公司以 IDM 的模式圍繞核心存儲持續(xù)展開產品布局，現(xiàn)擁有 DDR、 LPDDR、GDDR、HBM、NAND Flash 等主要存儲產品矩陣。AI 對于存儲需求的持續(xù)拉動， 助力公司 Cloud Memory 營收呈高速增長之勢。就公司新產能規(guī)劃而言，公司現(xiàn)已啟動系列晶 圓廠的建設工作，我們認為伴隨著公司新產能的逐步建成落地，美光有望長期在存儲行業(yè)處于 領先地位。