電子行業(yè)研究：存儲(chǔ)擴(kuò)產(chǎn)周期疊加自主可控加速，看好半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)鏈.pdf

電子行業(yè)研究：存儲(chǔ)擴(kuò)產(chǎn)周期疊加自主可控加速，看好半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)鏈。半導(dǎo)體設(shè)備是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的基石，存儲(chǔ)擴(kuò)產(chǎn)與自主可控共振，國產(chǎn)替代空間廣闊。半導(dǎo)體設(shè)備位于產(chǎn)業(yè)鏈上游，是 支撐芯片制造與封測(cè)的核心產(chǎn)業(yè)。根據(jù) SEMI 的數(shù)據(jù)，2025 年上半年仍以 33.2%的份額保持全球最大單一市場(chǎng)地位， 國內(nèi)設(shè)備龍頭業(yè)績(jī)表現(xiàn)亮眼，2025 年前三季度八家龍頭公司合計(jì)營(yíng)收同增 37.3%，歸母凈利潤(rùn)同增 23.9%。我們判斷， 隨著 AI 大模型驅(qū)動(dòng)存儲(chǔ)技術(shù)向 3D 化演進(jìn)，疊加長(zhǎng)鑫、長(zhǎng)存等國內(nèi)存儲(chǔ)大廠擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目落地，國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)鏈有 望迎來新一輪高速增長(zhǎng)機(jī)遇。

全球半導(dǎo)體步入強(qiáng)勁復(fù)蘇周期，設(shè)備市場(chǎng)維持高景氣。全球半導(dǎo)體市場(chǎng)已結(jié)束去庫周期，根據(jù) WSTS 預(yù)測(cè)，2025 年上半年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模同比增長(zhǎng) 18.9%，全年預(yù)計(jì)增長(zhǎng) 15.4%。隨著行業(yè)供需關(guān)系改善，在 AI 算力與先進(jìn) 制程擴(kuò)產(chǎn)的驅(qū)動(dòng)下，SEMI 預(yù)測(cè)全球半導(dǎo)體設(shè)備銷售額有望在 2026 年突破 1300 億美元。中國大陸半導(dǎo)體設(shè)備市 場(chǎng)雖受過往超額備貨影響短期承壓，但作為全球最大單一市場(chǎng)，隨著國產(chǎn)化加速及結(jié)構(gòu)性擴(kuò)產(chǎn)持續(xù)，有望迎來確 定性改善。

AI 技術(shù)迭代引爆存儲(chǔ)需求，供需缺口推升價(jià)格中樞。大模型向思維鏈（CoT）機(jī)制及多模態(tài)演進(jìn)，推動(dòng)數(shù)據(jù)吞吐 量指數(shù)級(jí)躍升，直接拉動(dòng)高性能存儲(chǔ)需求。供給端，海外原廠（三星、SK 海力士等）執(zhí)行嚴(yán)格控產(chǎn)策略，HBM 及 先進(jìn) DRAM 產(chǎn)能被鎖定，導(dǎo)致常規(guī)存儲(chǔ)市場(chǎng)面臨顯著供需缺口。根據(jù) TrendForce 的預(yù)計(jì)，在 AI 對(duì)存儲(chǔ)需求的激 增與原廠控產(chǎn)的雙重作用下，NAND 及 DRAM 價(jià)格持續(xù)上行，2025Q4 預(yù)計(jì)分別上漲 5-10%及 13-18%，行業(yè)景氣度顯 著提升。

國產(chǎn)存儲(chǔ)龍頭擴(kuò)產(chǎn)加速，IPO 與三期項(xiàng)目落地催化設(shè)備招標(biāo)。國內(nèi)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)面臨比全球更嚴(yán)峻的產(chǎn)能缺口,自主 可控訴求迫切。長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)正式啟動(dòng) IPO 輔導(dǎo)，估值及資金實(shí)力大幅增強(qiáng)，且 LPDDR5 等先進(jìn)制程技術(shù)代差縮短至 1 年左右，產(chǎn)能爬坡確定性高;長(zhǎng)江存儲(chǔ)三期項(xiàng)目已注冊(cè)成立，Xtacking 4.0 技術(shù)獲國際認(rèn)可。國產(chǎn)存儲(chǔ)擴(kuò)產(chǎn)的 大規(guī)模落地，將直接帶動(dòng)國產(chǎn)設(shè)備在核心制程環(huán)節(jié)的份額提升。

技術(shù)架構(gòu)突破物理極限，刻蝕與薄膜沉積設(shè)備迎來“量?jī)r(jià)齊升”。存儲(chǔ)芯片架構(gòu)正經(jīng)歷從 2D 向 3D 的深層次變革。 隨著 3D DRAM 技術(shù)的引入以及 NAND 堆疊層數(shù)向 5xx 層及以上演進(jìn)，制造工藝中對(duì)高深寬比刻蝕及先進(jìn)薄膜沉積 的要求呈指數(shù)級(jí)提升。根據(jù)泛林半導(dǎo)體測(cè)算，在此輪技術(shù)迭代中，刻蝕與薄膜沉積等關(guān)鍵設(shè)備的市場(chǎng)有望分別實(shí) 現(xiàn) 1.7 倍及 1.8 倍的顯著增長(zhǎng)，相關(guān)設(shè)備廠商將深度受益于工藝復(fù)雜度提升帶來的紅利。