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光刻機產業研究：國產設備發展任重道遠，零組件企業或將長期受益。光刻技術經過不斷地技術迭代已經達到了以浸沒式、多重曝光技術為主的先進光刻技術環節，芯片的制程技術達到了3nm以下。光刻是半導體生產過程中最重要的步驟之一，典型 的光刻工藝流程包括8個步驟，分別是底膜準備、涂膠、軟烘、對準曝光、曝光后烘、顯 影、堅膜、顯影檢測。在光刻機的發展歷史中，光刻技術經歷了接觸/接近式光刻機、掃描 投影光刻機、步進重復式光刻機到現在的步進掃描光刻機的發展歷程，現階段主流技術為 步進掃描光刻機，其余技術基本已經被淘汰了。主流的光刻機均采用浸沒系統、可編程光 照、畸變修正、熱效應修正、對準與表面測量等高難度技術。光刻機可通過多重曝光來提 高光刻精度，但是當制程節點達到3nm以下時，EUV光刻機則成為了必需的設備。光刻機 重要結構包括光源系統、光學鏡頭、工作臺，其中光源系統是決定光刻機技術迭代的關鍵 系統，光源技術迭代經歷了g-line、i-line、KrF、ArF、EUV技術，光刻精度也從800nm逐 步提升至3nm。

全球光刻機規模在2023年約為271億美元，ASML、Nikon、Canon這3家公司幾乎壟斷全 球光刻機供應。2023年全球光刻機總規模高達271.3億美元，預計2024年或將增長到315 億美元，長期來看光刻機需求有量價齊升的邏輯，市場規模有望保持增長趨勢。光刻機的 價值量隨著制程不斷降低呈現指數級別上漲，未來3nm-1nm制程的光刻機價值量或將超過 10億元。2022年三家公司共出貨551臺光刻機，其中ASML生產了345臺光刻機，占比63%。 如果拆分不同類別的光刻機占比來看，在EUV領域，ASML具有絕對話語權，占有100%份 額，ASML官網數據，2023年各類光刻機均價為EUV（17386萬歐元）、ArFi（7196萬歐 元）、ArFdry（2742萬歐元）、KrF（1192萬歐元）、l-ine（399萬歐元）。

目前光刻機國產化率僅為2.5%，整機技術與海外差距較大，短期5-10年內一方面重點發展 90、28nm光刻機的研發量產較為關鍵，一方面重點布局國內半導體零組件發展。根據中 國國際招標網信息，半導體設備招標中，刻蝕、沉積等核心設備的國產化率獲得了較大的 提升，核心在于技術上我國相關企業已經逐步追趕上海外企業；但光刻機作為核心設備， 國產化率不足3%，核心原因在于零組件供應與整機技術與海外差距較大，這樣的技術發 展需要長達5-10年甚至更久遠時間才能逐步突破。我國2023年進口光刻機數量高達225 臺，進口金額高達87.54億美元，進口金額創下歷史新高，預計3-5年內我國光刻機主要依 賴進口。一臺先進的光刻機高達10萬個零部件，整體來看我國半導體零組件的國產化率非 常低，盡管在各個賽道均有相關的國有企業在不斷發展，距離海外企業依然有較大的差距， 同時也預示著國內零組件企業公司有較大的發展機遇。