半導(dǎo)體先進(jìn)封裝行業(yè)專題報(bào)告：CoWoS五問(wèn)五答.pdf

半導(dǎo)體先進(jìn)封裝行業(yè)專題報(bào)告：CoWoS五問(wèn)五答。Q1:CoWoS是什么？CoWoS 嚴(yán)格來(lái)說(shuō)屬于2.5D 先進(jìn)封裝技術(shù)，由CoW 和oS 組合而來(lái)：先將芯片通過(guò)Chip on Wafer（CoW）的封裝制程連接 至硅晶圓，再把CoW 芯片與基板（Substrate）連接，整合成CoWoS。核心是將不同的芯片堆疊在同一片硅中介層實(shí)現(xiàn)多顆芯片互聯(lián)。CoWoS自2011 年經(jīng)臺(tái)積電開發(fā)后，經(jīng)歷5次技術(shù)迭代；臺(tái)積電將CoWoS封裝技術(shù)分為三種類型——CoWoS-S、CoWoS-R、CoWoS-L,不同類型在技術(shù)特點(diǎn)和應(yīng)用有 所區(qū)別。

Q2：CoWoS的優(yōu)勢(shì)與挑戰(zhàn)？CoWoS的目前具有：高度集成、高速和高可靠性、高性價(jià)比等優(yōu)勢(shì)。但與此同時(shí)CoWoS面臨：制造復(fù)雜性、集成 和良率挑戰(zhàn)、電氣挑戰(zhàn)、散熱的挑戰(zhàn)。

Q3：產(chǎn)業(yè)市場(chǎng)現(xiàn)狀？后摩爾時(shí)代，先進(jìn)制程工藝演進(jìn)逼近物理極限，先進(jìn)封裝（AP）成了延續(xù)芯片新能持續(xù)提升的道路之一。2025年中國(guó)先進(jìn)封 裝市場(chǎng)規(guī)模將超過(guò)1100億元，年復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá)26.5%。CoWoS先進(jìn)封裝技術(shù)主要應(yīng)用于AI算力芯片及HBM領(lǐng)域。英偉達(dá)是CoWoS主要需求大廠，在臺(tái) 積電的CoWoS產(chǎn)能中，英偉達(dá)占整體供應(yīng)量比重超過(guò)50%。目前，HBM需要CoWoS等2.5D先進(jìn)封裝技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)，HBM的產(chǎn)能將受制于CoWoS產(chǎn)能， 同時(shí)HBM需求激增進(jìn)一步加劇了CoWoS封裝的供不應(yīng)求情況。

Q4：中國(guó)大陸主要有哪些企業(yè)參與？目前國(guó)內(nèi)長(zhǎng)電科技、通富微電、華天科技等企業(yè)參與。長(zhǎng)電科技擁有高集成度的晶圓級(jí)WLP、2.5D/3D、系 統(tǒng)級(jí)（SiP）封裝技術(shù)和高性能的Flip Chip 和引線互聯(lián)封裝技術(shù)；通富微電超大尺寸2D+封裝技術(shù)及3維堆疊封裝技術(shù)均獲得驗(yàn)證通過(guò)；華天科技已掌握 了SiP、FC、TSV、Bumping、Fan-Out、WLP、3D等集成電路先進(jìn)封裝技術(shù)，持續(xù)推進(jìn)FOPLP封裝工藝開發(fā)和2.5D工藝驗(yàn)證。

Q5: CoWoS技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)？CoWoS-L有望成為下一階段的主要封裝類型。CoWoS-L結(jié)合了CoWoS-S和InFO技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)，使用中介層與LSI芯片 進(jìn)行芯片間互連，并使用RDL層進(jìn)行功率和信號(hào)傳輸，從而提供最靈活的集成。在電氣性能方面，CoWoS平臺(tái)引入第一代深溝槽電容器（eDTC）是用 于提升電氣性能，通過(guò)連接所有LSI芯片的電容，CoWoS-L搭載多個(gè)LSI芯片，可以顯著增加RI上的總eDTC電容。