北方華創(chuàng)：平臺(tái)化半導(dǎo)體設(shè)備龍頭，受益于下游資本開支擴(kuò)張&國產(chǎn)化率提升.pdf

北方華創(chuàng)：平臺(tái)化半導(dǎo)體設(shè)備龍頭，受益于下游資本開支擴(kuò)張&國產(chǎn)化率提升。看好先進(jìn)邏輯&存儲(chǔ)加速擴(kuò)產(chǎn)：晶圓廠擴(kuò)產(chǎn)方面，我們預(yù)計(jì) 2026-2027 年 內(nèi)資晶圓廠資本開支持續(xù)擴(kuò)張。1）邏輯端：中芯國際自 2023 年起產(chǎn)能利 用率穩(wěn)步提升，2025Q3 已升至 95.8%；國內(nèi)廠商先進(jìn)邏輯工藝陸續(xù)突破， 有望加速落地先進(jìn)制程產(chǎn)能。2）存儲(chǔ)端：2024 年全球 NAND/DRAM 存儲(chǔ) 器市場中，我國長江存儲(chǔ)&長鑫存儲(chǔ)市占率分別僅為 5/5%，后續(xù)仍待突破， 我們預(yù)計(jì) 2026 年長江存儲(chǔ)與長鑫存儲(chǔ)合計(jì)新增 10–12 萬片/月產(chǎn)能，重點(diǎn) 聚焦于 3D NAND 與 HBM 制程，投資總額有望達(dá) 155–180 億美元。根據(jù) SEMI 預(yù)測數(shù)據(jù)，2026-2027 年全球晶圓廠設(shè)備支出約 8827/9471 億元，分 別同比增長 9/7%。疊加自主可控需求，我們預(yù)計(jì) 2026-2027 年中國大陸晶 圓廠設(shè)備銷售額將達(dá) 4414/4736 億元，分別同比+21/7%。

海外限制不斷收緊，半導(dǎo)體設(shè)備國產(chǎn)替代訴求迫切：美日荷持續(xù)強(qiáng)化對 先進(jìn)制程設(shè)備出口限制，國內(nèi)晶圓廠在自主可控導(dǎo)向下加快國產(chǎn)設(shè)備導(dǎo)入 進(jìn)程。2024 年中國大陸半導(dǎo)體設(shè)備銷售額達(dá) 495 億元，全球占比 42%，連 續(xù)四年為全球第一大設(shè)備市場。我們預(yù)計(jì) 2025 年半導(dǎo)體設(shè)備國產(chǎn)化率提升 至 22%，其中刻蝕、清洗、CMP 等環(huán)節(jié)已實(shí)現(xiàn)階段性突破，光刻、薄膜沉 積、檢測、涂膠顯影等高端環(huán)節(jié)國產(chǎn)化率仍低于 25%，替代空間廣闊。

內(nèi)生+外延不斷拓展公司產(chǎn)品線，彰顯半導(dǎo)體設(shè)備龍頭地位：作為國產(chǎn) 半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)軍者，公司持續(xù)受益設(shè)備國產(chǎn)替代+產(chǎn)品線延展。1）刻蝕設(shè) 備：我們預(yù)估 2027 年中國大陸半導(dǎo)體干法刻蝕設(shè)備市場規(guī)模達(dá)到 895 億 元。公司在 ICP 領(lǐng)域主導(dǎo)國內(nèi)市場，同時(shí)積極布局 CCP 領(lǐng)域，市占率持續(xù) 提升，高深寬比刻蝕取得率先突破。2）薄膜沉積設(shè)備：我們預(yù)估 2027 年 中國大陸半導(dǎo)體薄膜沉積設(shè)備市場規(guī)模將達(dá) 1089 億元。公司 PVD 市場競 爭力顯著，持續(xù)拓展 CVD、ALD 等產(chǎn)品系列，已躋身國內(nèi)第一梯隊(duì)，不斷 打開成長空間。3）Track 設(shè)備：我國涂膠顯影市場規(guī)模 2025 年有望達(dá) 143.7 億元、2025 臺(tái)。芯源微是國內(nèi)首家具備量產(chǎn)交付能力的企業(yè)，公司通過獲 得芯源微控股權(quán)填補(bǔ) Track 產(chǎn)品空白，有望充分受益于 Track 國產(chǎn)替代進(jìn) 程。4）熱處理設(shè)備：我們預(yù)計(jì) 2027 年中國大陸熱處理設(shè)備市場規(guī)模約為 210 億元，公司已具備較強(qiáng)市場競爭力，25H1 該業(yè)務(wù)收入 10 億元。5）清 洗設(shè)備：我們預(yù)計(jì) 2027 年中國大陸市場規(guī)模約 243 億元，公司收購 Akrion 完善清洗設(shè)備產(chǎn)品線，產(chǎn)品體系不斷完善，已成功覆蓋槽式、單片清洗設(shè) 備。6）其他：公司積極拓展離子注入機(jī)、電鍍設(shè)備等品類，平臺(tái)化布局持 續(xù)深入。