碳化硅行業分析：第三代半導體明日之星，“上車+追光”跑出發展加速度.pdf

碳化硅行業分析：第三代半導體明日之星，“上車+追光”跑出發展加速度。第三代半導體材料是以碳化硅、氮化鎵為代表的寬禁帶半導體材料。以碳化硅為襯底制 成的功率器件相比硅基功率器件，具有耐高壓、耐高溫、能量損耗低、功率密度高等優 勢，可實現功率模塊小型化、輕量化。主要應用于新能源汽車/充電樁、光伏發電、智能 電網、軌道交通、航空航天等領域。

憑借性能優勢碳化硅功率器件有望迎來快速發展。2021 年全球第三代功率半導體市場 滲透率約為 4.6%-7.3%，較 2020 年滲透率提升約 2%。根據 Yole 數據，2021 年全球 碳化硅功率器件市場規模約為 10.90 億美元，2027 年全球導電型碳化硅功率器件市場 空間有望突破至 62.97 億美元，六年年均復合增速約為 34%。

碳化硅器件“上車”加快，800V 高壓平臺蓄勢待發。功率器件主要應用于新能源車的 主驅逆變器、車載充電機、DC/DC 轉換器和非車載充電樁等關鍵電驅電控部件。盡管 SiC MOSFET 價格相比于 Si IGBT 價格仍然較高，但碳化硅功率器件在耐壓等級、開關 損耗和耐高溫性方面具備明顯優勢。新能源汽車已成為碳化硅功率器件最主要的市場。 在目前各大主流車廠積極布局 800V 電壓平臺的背景下，碳化硅的性價比突出，市場前 景廣闊。配套的直流充電樁市場將進一步加速碳化硅需求增長。

碳化硅“追光”，拓展光伏儲能新應用場景。碳化硅功率模塊可使逆變器轉換效率提升至 99%以上，能量損耗降低 30%以上，同時具備縮小系統體積、增加功率密度、延長器件 使用壽命、降低系統散熱要求等優勢。根據 CASA 數據，2021 年中國光伏領域第三代 功率半導體的滲透率超過 13%，市場規模約 4.78 億元，預計 2026 年光伏用第三代半 導體市場空間將接近 20 億元，五年 CAGR 超過 30%。另外，隨著可再生能源發電占比 提高以及智能電網的應用，儲能系統與電力電子變壓器進一步拓寬了碳化硅的市場。