兆易創(chuàng)新研究報(bào)告：存儲(chǔ)龍頭多元布局，深度受益AI+國(guó)產(chǎn)替代.pdf

兆易創(chuàng)新研究報(bào)告：存儲(chǔ)龍頭多元布局，深度受益AI+國(guó)產(chǎn)替代。布局存儲(chǔ)+MCU+傳感器，產(chǎn)品出貨量創(chuàng)出新高。兆易創(chuàng)新產(chǎn)品主要覆蓋 存儲(chǔ)、MCU、傳感器三大領(lǐng)域，其中 2024 年存儲(chǔ)收入占比 70%以上，公 司在 NOR Flash 領(lǐng)域全球市占率第二，SLC NAND 也逐步占據(jù)一定份額， DRAM 業(yè)務(wù)隨著三大原廠逐步退出+端側(cè)定制化方案的順利推進(jìn)有望實(shí)現(xiàn) 較大增長(zhǎng)。2024 年公司產(chǎn)品出貨量達(dá)到 43.62 億顆，同比增長(zhǎng) 39.72%， 創(chuàng)出歷史新高，因行業(yè)下游市場(chǎng)需求有所回暖，客戶(hù)增加備貨，公司產(chǎn)品 在消費(fèi)、網(wǎng)通、計(jì)算等多個(gè)領(lǐng)域均實(shí)現(xiàn)收入和銷(xiāo)量大幅增長(zhǎng)。公司實(shí)現(xiàn)營(yíng) 業(yè)收入 73.56 億元，同比增長(zhǎng) 27.69%；公司歸母凈利潤(rùn)回升至 11.03 億 元，同比增加 584.21%。

利基存儲(chǔ)格局優(yōu)化，端側(cè) AI 推動(dòng)定制化需求增長(zhǎng)。半導(dǎo)體存儲(chǔ)主要有 DRAM/NAND/Nor Flash 等，2023 年分別占比 54%/41%/2.5%，2024 年 全年 DRAM 和 NAND Flash 整體銷(xiāo)售收入達(dá) 1669.79 億美元，創(chuàng)造歷史新 高。兆易創(chuàng)新存儲(chǔ)產(chǎn)品主要為 NOR Flash、SLC NAND、利基型 DRAM，公 司 2015-2024 年存儲(chǔ)收入 CAGR 約 26%，2024 年存儲(chǔ)收入 51.9 億元， 同比+27%，毛利率 40.3%，相比 2023 年的 33.0%顯著回暖 7.3pcts，創(chuàng) 2015-2024 年度新高。具體來(lái)看：

1）NOR Flash：兆易市占率第二，端側(cè) AI 助力市場(chǎng)規(guī)模提升。NOR Flash 屬于通用型非易失性存儲(chǔ)芯片，在數(shù)據(jù)讀取效率方面具有顯著優(yōu)勢(shì)。2023 年全球 NOR FLASH 市場(chǎng)規(guī)模約為 23 億美元，預(yù)計(jì)于 2028 年增長(zhǎng)至約 35 億美元，2023-2028 年 CAGR 約 9%。短期看，AI 手機(jī)/PC 放量直接拉動(dòng) NOR Flash 用量；長(zhǎng)期看，XR、AI 眼鏡等新興場(chǎng)景疊加汽車(chē)電子放量正打 開(kāi)增量空間。從競(jìng)爭(zhēng)格局看，華邦全球市占率第一，達(dá) 27%；兆易創(chuàng)新 NOR Flash 市場(chǎng)份額排名全球第二，達(dá) 23%，公司產(chǎn)品矩陣完善，覆蓋 512Kb 到 2Gb 的容量范圍，支持 1.2V、1.8V、3V、1.65~3.6V 以及 1.8V VCC & 1.2V VIO 等多種供電類(lèi)型，并針對(duì)不同市場(chǎng)應(yīng)用需求分別提供高 性能、低功耗、高可靠性、小封裝等多個(gè)產(chǎn)品系列。我們認(rèn)為公司市占率 有望穩(wěn)步提升，同時(shí)受益于端側(cè) AI 帶來(lái)的市場(chǎng)規(guī)模增長(zhǎng)。

2）SLC NAND：競(jìng)爭(zhēng)格局優(yōu)化，大陸廠商嶄露頭角。SLC NAND 高性能、 高可靠性的優(yōu)點(diǎn)讓其在需要耐久度和高速的關(guān)鍵任務(wù)應(yīng)用中受到歡迎。根 據(jù)華邦電子，2024 年 SLC NAND 市場(chǎng)規(guī)模為 12 億美元。隨著閃存行業(yè)向 高堆疊層數(shù)、大容量的 3D NAND 方向發(fā)展，三星、海力士、鎧俠、美光 等海外大廠將戰(zhàn)略重心轉(zhuǎn)移至 3D TLC NAND 和 3D QLC NAND 領(lǐng)域，SLC NAND 市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)參與者數(shù)量減少，市場(chǎng)空間得以逐步釋放。國(guó)內(nèi)市場(chǎng)中 SLC NAND 由中國(guó)臺(tái)灣的華邦和旺宏占據(jù)主導(dǎo)地位，與此同時(shí)，兆易創(chuàng)新 （2024 年市占率 4%）、東芯股份等大陸廠商也嶄露頭角，隨著海外巨頭 轉(zhuǎn)向主流 NAND 市場(chǎng)，國(guó)產(chǎn)化未來(lái)具備廣闊的增長(zhǎng)空間。兆易創(chuàng)新 38nm 和 24nm 兩種制程全面量產(chǎn)，并正在以 24nm 為主要工藝制程，車(chē)規(guī)市場(chǎng) 實(shí)現(xiàn)突破。

3）DRAM：原廠逐步退出 DDR3&DDR4，端側(cè)定制化助力行業(yè)發(fā)展。利 基型 DRAM 涵蓋 DDR3、小容量 DDR4 及低功耗產(chǎn)品，2024 年全球利基 DRAM市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到人民幣596億元。三星、SK海力士和美光等主要DRAM 制造商逐步計(jì)劃在 2025 年下半年終止 DDR3 和 DDR4 內(nèi)存的生產(chǎn)，隨著 這些原廠逐步退出利基型市場(chǎng)，國(guó)產(chǎn)廠商的利基型 DRAM 制程逐漸成熟， 有望實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)替代，兆易創(chuàng)新產(chǎn)品技術(shù)覆蓋度持續(xù)提升。