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電子行業專題報告：光刻機國產化迫在眉睫，關注產業鏈投資機會。光刻機——工業皇冠上的明珠。芯片制造流程大致包括晶圓加工、氧化、 光刻、刻蝕、薄膜沉積、互連、測試、封裝等重要步驟。其中，光刻是半導 體芯片生產流程中最復雜、最關鍵的工藝步驟，耗時長、成本高。光刻原理 是將高能雷射光穿過光罩（reticle），使光罩上的電路圖形透過聚光鏡 （projection lens），將影像縮小到十六分之一后成像（影像復制）在預涂光 阻層的晶圓（wafer）上。光刻機是光刻工藝的核心設備。

提升光刻機分辨率路徑：更短波長和增大數值孔徑。更短波長光源推動 光刻機分辨率不斷提升。使用i-line光源的ASML光刻機，最高分辨率可達 220nm。Kr-F（248nm）和 Ar-F（193nm），將分辨率進一步提升至110nm（Kr-F） 和65nm（Ar-F）。EUV，光刻分辨率達到了8nm。增大數值孔徑可以提升分 辨率，浸沒式系統突破了DUV光刻機0.93的數值孔徑，將DUV分辨率提 升到38nm以下。

全球市場規模超300億美金，ASML一家獨大。根據中商產業研究院估 計，光刻機占半導體設備比例約24%上下，由此預估2024全球光刻機市場 規模約為315億美元。出貨角度，光刻機銷量仍以中低端產品為主，KrF、 i-Line 占比分別為37.9%和33.6%；其次分別為ArFi、ArFdry、EUV，占比 分別為15.4%、5.8%及7.3%。2022 年，ASML、Canon、Nikon在光刻機市 場份額分別為82.1%、10.2%和7.7%。

國內晶圓廠建設潮及美國加大對華出口管制下，光刻機國產化迫在眉睫。2026 年底，大陸12英寸晶圓廠的總月產能有望從2023年的217萬片（規 劃產能）增長到超過414萬片。人工智能發展大幅提升國內先進制程產能需 求。芯片生產產線建設中，光刻機購置成本最高，達到設備總投資的 21%-23%。國內晶圓廠建設潮和AI快速發展帶動國產光刻機需求持續攀升。 美國持續加大對華半導體設備出口管制下，國產光刻機產業有望加速崛起。

光刻機整機主要由照明光學模組、投影物鏡模組、晶圓模組構成。照明光學模組分為光源和照明模組。投影物鏡模組包含多種反射鏡和透鏡，主要 功能是把掩模版上的電路圖案縮小到1/16之后，聚焦成像到預涂光阻層的晶 圓上。晶圓模組分為晶圓傳送模組和晶圓平臺模組，分別負責晶圓傳送和承 載晶圓及精準定位晶圓來曝光。