半導(dǎo)體行業(yè)SiC深度分析：先進(jìn)封裝，英偉達(dá)、臺(tái)積電未來的材料之選.pdf

半導(dǎo)體行業(yè)SiC深度分析：先進(jìn)封裝，英偉達(dá)、臺(tái)積電未來的材料之選。根據(jù)行家說三代半，9月2日，據(jù)中國臺(tái)灣媒體報(bào)道，英偉達(dá)正計(jì)劃在新一代GPU芯片的先進(jìn)封裝環(huán)節(jié)中采用12英寸碳化硅襯底，最晚將在2027年導(dǎo)入。

解決CoWoS封裝散熱問題成為AI算力芯片發(fā)展重要課題

根據(jù)《高算力Chiplet的熱管理技術(shù)研究進(jìn)展》，集成電路發(fā)展受到“功耗墻”的嚴(yán)重制約。英偉達(dá)和AMD在追求算力大幅提升的情況下，不得不繼續(xù)提高 芯片功率。主流算力芯片基本標(biāo)配CoWoS封裝，尤其英偉達(dá)算力芯片全部使用CoWoS封裝。因此我們認(rèn)為AI算力芯片的發(fā)展亟需解決CoWoS封裝散熱的難題。

SiC有望成為未來CoWoS發(fā)展中Interposer最優(yōu)解

CoWoS核心價(jià)值在于interposer（中介層）的連通作用，Interposer當(dāng)前與未來面臨熱管理、結(jié)構(gòu)剛性等難題。根據(jù)北京大學(xué)、Nature等相關(guān)論文，當(dāng)前的 Si和玻璃在材料特性上不及SiC與金剛石，而金剛石仍難以匹配芯片制造工藝，因此我們判斷，因?yàn)镾iC在性能與可行性兩方面的優(yōu)勢，有望成為未來CoWoS interposer的最適宜替代材料。

如CoWoS未來采用SiC，中國大陸SiC產(chǎn)業(yè)鏈有望重點(diǎn)受益

如CoWoS未來將Interposer替換為SiC，且如按CoWoS 28年后35%復(fù)合增長率和70%替換SiC 來推演，則30年對應(yīng)需要超230萬片12吋SiC襯底，等效約為920萬 片6吋，遠(yuǎn)超當(dāng)前產(chǎn)能供給。而中國大陸SiC具備投資規(guī)模、生產(chǎn)成本、下游支持的三大優(yōu)勢，未來有望重點(diǎn)受益。