電子行業(yè)專(zhuān)題報(bào)告：存儲(chǔ)芯片漲價(jià)將延續(xù)至2026年.pdf

電子行業(yè)專(zhuān)題報(bào)告：存儲(chǔ)芯片漲價(jià)將延續(xù)至2026年。2025Q4 存儲(chǔ)芯片進(jìn)入新一輪漲價(jià)周期。Micron、Samsung、SK Hynix 三大存儲(chǔ)巨頭陸續(xù)上調(diào) DRAM 及 NAND Flash 產(chǎn)品合約價(jià)，相關(guān)現(xiàn)貨價(jià)格同步持續(xù)上揚(yáng)。復(fù)盤(pán)歷史周期，2016-2018 年的存儲(chǔ)芯片漲價(jià)由智能手機(jī)配置升級(jí)直接驅(qū)動(dòng)；2020-2023年受益于線(xiàn)上經(jīng)濟(jì)、居家辦公場(chǎng)景拉動(dòng) PC 等終端出貨量提升，疊加疫情下產(chǎn)業(yè)鏈囤貨需求，推動(dòng)存儲(chǔ)市場(chǎng)階段性上行。與前兩輪周期不同，本輪漲價(jià)周期來(lái)自于智能手機(jī)和服務(wù)器的雙重需求共振。iPhone 在 2025 年完成存儲(chǔ)容量升級(jí)后，我們判斷其內(nèi)存容量有望在2026迎來(lái)再次升級(jí)。如此密集的持續(xù)升級(jí)，有望助推全球存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)漲價(jià)周期在2026 年延續(xù)。

DRAM 可直接與核心處理器芯片交互，快速存儲(chǔ)計(jì)算臨時(shí)信息。DRAMeXchange，TrendForce 數(shù)據(jù)顯示，2024 年全球 DRAM 市場(chǎng)規(guī)模達(dá)958.63 億美元，同比增長(zhǎng)84.83%。全球 DRAM 市場(chǎng)呈現(xiàn)寡頭壟斷格局：2024 年 Samsung、SK Hynix、Micron的DRAM產(chǎn)品市場(chǎng)份額分別達(dá)到 41.54%、34.44%和 21.51%，三者合計(jì)擁有97.5%的市場(chǎng)份額；國(guó)內(nèi)企業(yè)方面，長(zhǎng)江存儲(chǔ)、江波龍、佰維存儲(chǔ)等憑借架構(gòu)創(chuàng)新與場(chǎng)景深耕，正加速在該領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)突破。

NAND Flash 是一類(lèi)非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)，核心應(yīng)用于數(shù)據(jù)長(zhǎng)期存儲(chǔ)場(chǎng)景。相較DRAM，其具備存儲(chǔ)容量大、單位成本相對(duì)較低等核心優(yōu)勢(shì)。據(jù)TrendForce 統(tǒng)計(jì)，2023年全球NAND Flash 市場(chǎng)規(guī)模為 387.3 億美元，2024 年增加至656.4 億美元。2024年全球市場(chǎng)NAND Flash 份額排名前五的企業(yè)依次為 Samsung（35.7%）、SK Group（21.3%）、Kioxia（14.4%）、Micron（12.9%）、SanDisk（11.0%）。按存儲(chǔ)單元位數(shù)劃分，NANDFlash 可分為 SLC（單層式儲(chǔ)存）、MLC（雙層式儲(chǔ)存）、TLC（三層式儲(chǔ)存）及QLC（四層式儲(chǔ)存）四種類(lèi)型，不同類(lèi)型產(chǎn)品的場(chǎng)景定位存在顯著差異。

全球存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)呈現(xiàn)“美國(guó)-日本-韓國(guó)-中國(guó)”的區(qū)域轉(zhuǎn)移脈絡(luò)。美國(guó)作為存儲(chǔ)技術(shù)發(fā)源地，英特爾等企業(yè)率先引領(lǐng)早期存儲(chǔ)芯片的技術(shù)迭代與市場(chǎng)拓展；1970 年代日本憑借舉國(guó)體制集中突破半導(dǎo)體核心技術(shù)，1986 年存儲(chǔ)器全球市占率攀升至65%，一度主導(dǎo)全球市場(chǎng)，后因日美貿(mào)易摩擦加劇，其存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)份額逐步下滑；韓國(guó)Samsung、SKHynix等企業(yè)順勢(shì)崛起，1996 年 Samsung 推出全球首款 1GB DRAM，正式躋身行業(yè)領(lǐng)跑者行列。當(dāng)前，Micron、SK Hynix、鎧俠等國(guó)際存儲(chǔ)廠(chǎng)商憑借持續(xù)的技術(shù)迭代，仍占據(jù)全球市場(chǎng)龍頭地位：Micron 聚焦 HBM3E、高端 NAND Flash 等高附加值產(chǎn)品，深度綁定NVIDIA等AI 巨頭構(gòu)建定制化供應(yīng)鏈；鎧俠以 BiCS FLASH™3D 閃存技術(shù)為核心競(jìng)爭(zhēng)力，鞏固細(xì)分領(lǐng)域優(yōu)勢(shì)；SK Hynix2024 年實(shí)現(xiàn)營(yíng)收 454.71 億美元（同比+102.02%），積極加碼高端賽道布局；中國(guó)企業(yè)中，長(zhǎng)江存儲(chǔ)、長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)、江波龍等廠(chǎng)商加速技術(shù)突破與產(chǎn)能擴(kuò)張，正推動(dòng)全球存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)重心逐步向中國(guó)轉(zhuǎn)移。