2026年半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)策略報告：AI驅(qū)動新成長，自主可控大時代.pdf

2026年半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)策略報告：AI驅(qū)動新成長，自主可控大時代。

2025行業(yè)復(fù)盤：跑贏大盤，持續(xù)增長

2025年至今，半導(dǎo)體設(shè)備指數(shù)顯著跑贏大盤，當(dāng)前估值處于28%分位點。 2025年前道設(shè)備營收持續(xù)高增長，利潤增速結(jié)構(gòu)性放緩；后道設(shè)備迎來爆發(fā)式增長，凈利率顯著提升，行業(yè)呈現(xiàn)高景氣態(tài)勢。

2026行業(yè)展望：半導(dǎo)體行業(yè)景氣度高，先進邏輯存儲擴產(chǎn)共振

半導(dǎo)體行業(yè)景氣度高：AI驅(qū)動下，2025年全球半導(dǎo)體市場創(chuàng)歷史新高，預(yù)計2026年將繼續(xù)增長9%至7607億美元。 中國半導(dǎo)體設(shè)備市場：國內(nèi)晶圓廠產(chǎn)能利用率回升擴產(chǎn)意愿強烈，AI驅(qū)動存儲超級周期，國內(nèi)先進邏輯&存儲擴產(chǎn)有望共振，疊加自主可控邏輯下國 產(chǎn)化率繼續(xù)提升，帶動設(shè)備需求向上。

重點推薦：四大景氣方向

方向一： AI驅(qū)動存儲超級周期，聚焦刻蝕與薄膜設(shè)備龍頭。AI驅(qū)動的HBM和高端存儲需求，創(chuàng)造了結(jié)構(gòu)性而非周期性的設(shè)備投資機會。3D NAND堆 疊與DRAM技術(shù)迭代，使刻蝕、薄膜沉積設(shè)備的使用量和價值量倍增。緊跟長鑫、長存等國內(nèi)龍頭擴產(chǎn)步伐，布局存儲業(yè)務(wù)占比高的設(shè)備公司。 方向二：光刻機國產(chǎn)化破曉，布局核心子系統(tǒng)與零部件。光刻機是國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備國產(chǎn)化率最低的環(huán)節(jié)，2026年有望實現(xiàn)從0到1量產(chǎn)，帶動子系統(tǒng) 及零部件公司業(yè)績與估值雙提升。 方向三：前沿技術(shù)演進，ALD設(shè)備迎來黃金發(fā)展期。ALD技術(shù)主要應(yīng)用在28nm及以上的邏輯及存儲領(lǐng)域。在3D NAND、GAA晶體管、3D DRAM等 前沿領(lǐng)域，ALD從輔助工藝升級為核心工藝，是前道設(shè)備中增長最快的環(huán)節(jié)之一，外部管制下，國產(chǎn)廠商正迎來替代窗口期。 方向四：先進封裝延續(xù)摩爾定律，設(shè)備國產(chǎn)化空間廣闊。面對制程微縮瓶頸，先進封裝通過系統(tǒng)級集成成為提升性能的主航道。AI芯片對CoWoS、 HBM的需求爆發(fā)，催生了從TSV刻蝕、微凸塊電鍍到高精度鍵合、測試的全鏈條設(shè)備需求。該領(lǐng)域技術(shù)門檻呈階梯分布，為國產(chǎn)設(shè)備商提供了廣闊的 切入和替代空間。