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電子行業存儲專題系列2：如何看待此輪存儲周期的不同。核心觀點：隨著 AI 訓練和推理對算力需求的快速增長，數據中心對 HBM、大容量 DDR5 及企業級 SSD 的存儲需求快速增長，行業景氣度持續提升。我們預計此輪周期和過去 幾輪存儲周期有本質的不同，此輪存儲景氣周期是由 AI 驅動而非消費電子，而存儲配 置直接關系到 AI 系統的認知能力、功能實現及運行效率。當前，全球 CSP 大廠持續加 大 AI 基礎設施投入，單顆 GPU 搭載的 HBM、DRAM、企業級 SSD 用量和容量顯著增 加， AI 訓練與推理過程中產生的海量數據（token）及輸入輸出文件，進一步推高了對 存儲的需求，形成持續且強勁的驅動力。

需求端：AI 推理需求爆發是存儲需求的主要驅動力。根據 TrendForce，預計 2026 年 八大主要 CSP 的合計資本支出將超越 7,100 億美元，同比增長約 61%。若未來 AI 應 用爆發，企業盈利有望大幅提升，CSP 在 2027 年之后依舊有望大幅提升資本開支。雖 然存儲漲價對消費電子需求存在較大沖擊，但本輪周期是由 AI 數據中心和云服務商主 導，AI 推理需求爆發是存儲需求的主要驅動力，且 AI 對存儲需求拉動明顯高于消費電 子下滑對存儲需求的影響。

供給端：2026 年存儲原廠目前新建的產能相對有限，新增產能大部分在 27H2 釋放。 NAND 方面，2026 年海外存儲大廠僅有鎧俠 K2，三星西安 X2 產線、海力士清州 M15 等廠小幅擴產。DRAM 方面，2026 年僅有三星 P4、海力士 M15X 等廠小幅擴產。資 本開支方面，海外存儲大廠資本開支未來主要聚焦 AI 方向，例如 HBM、DDR5 以及企 業級 SSD，而消費電子已不再是未來資本開支的重心。

供需關系：預計供需緊張持續至 2027 年之后。NAND 方面，我們測算 2025-2027 年， NAND 總需求分別為 988EB、1130EB、1501EB，NAND 總供給分別為 986EB、1071EB、 1447EB，預計 2026-2027 年 NAND 供需缺口分別為-5.26%、-3.60%。DRAM 方面， 我們測算 2025-2027 年，DRAM 總需求分別為 40EB、52EB、69EB，DRAM 總供給 分別為 41EB、48EB、68EB，2026-2027 年 DRAM 供需缺口分別為-7.22%、-1.77%。

價格端：在 AI 強勁需求下，我們預計存儲價格上漲有望貫穿 2026 年全年。根據 TrendForce 最新存儲器價格調查，2026Q2 因DRAM原廠積極將產能轉向HBM、Server 應用，并采用“補漲”策略拉近各類產品價差，盡管終端市場面臨出貨下修風險，預估 整體一般型 DRAM(Conventional DRAM)合約價格仍將環比增長 58-63%。NAND Flash 市場持續由 AI、數據中心需求主導，全產品線連鎖漲價的效應不減，預計第二季整體合 約價格將環比增長 70-75%。海力士表示在 AI 客戶強勁需求的推動下，當前的存儲價 格上漲趨勢可能貫穿 2026 全年。