半導體行業分析：市場空間巨大，SiC國產化趨勢加速.pdf
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- 時間：2021/11/08
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碳化硅具備耐高壓、耐高溫、高頻、抗輻射等優良電氣特性，突破硅基半導體材料物理限制，是第三代半導體核心材料：碳化硅材料的禁帶寬度大約為硅材料的三倍，且硅材料的極限溫度不足碳化硅材料的二分之一，這些物理特性使得碳化硅材料更好地應用于高壓、高溫環境。此外，相比于硅基器件，同性能的碳化硅器件尺寸更小、重量更輕、能量損耗更少。在高溫、高壓、高頻領域，碳化硅將逐步替代硅器件，如 5G 通訊基站、軌道交通、特高壓輸電、新能源汽車等領域。碳化硅優異的性能符合下游市場的新興需求，以新能源汽車為例，采用碳化硅器件可延長電動車的行駛里程、縮短電動車的充電時間以及擴大電池容量等，越來越多的新能源汽車企業布局碳化硅器件使用。
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