第三代半導體之SiC行業專題報告.pdf
- 上傳者：B*******
- 時間：2020/09/12
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本報告聚焦于第三代半導體核心材料碳化硅（SiC）的研究框架。內容深入分析了SiC材料相較于傳統硅基半導體的技術優勢，包括高擊穿電場、高熱導率及高電子飽和漂移速度等特性，使其成為高壓、高頻、高溫應用場景下的理想選擇。
報告詳細梳理了SiC產業鏈上下游結構，涵蓋襯底制備、外延生長、器件設計制造及封裝測試等關鍵環節。同時，結合全球及中國市場的供需格局，評估了SiC在新能源汽車、光伏儲能、智能電網等領域的滲透率提升趨勢。通過對比6英寸與8英寸晶圓的發展路徑，探討了產能擴張與技術迭代對成本下降的影響，為投資者提供SiC行業長期成長邏輯與投資機會的系統性研判。
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