長光華芯（688048）深度跟蹤報告：光芯片IDM平臺新征程.pdf

長光華芯（688048）深度跟蹤報告：光芯片IDM平臺新征程。國際視角：全球領(lǐng)先的光芯片企業(yè)都是平臺型企業(yè)，II-VI 公司通過連續(xù)并購形 成了自身的材料平臺。縱觀 II-VI/相干公司的發(fā)展歷史，因?yàn)楣猱a(chǎn)業(yè)技術(shù)、材料 研發(fā)周期長，為了在多路徑、復(fù)雜應(yīng)用的市場中保持競爭力，公司通過不斷并 購逐漸形成自身的材料平臺，具備了從 ZnS/ZnSe、SiC 到 GaAs、InP 的材料 基礎(chǔ)以及豐富晶圓以及外延生長技術(shù)和產(chǎn)線。隨后公司通過并購 Finisar 和 Coherent 完善了自身在光通信、激光領(lǐng)域的產(chǎn)品矩陣，形成覆蓋材料、組件、 子系統(tǒng)、系統(tǒng)和服務(wù)的價值鏈，并為下游的廣泛應(yīng)用奠定了夯實(shí)的技術(shù)基礎(chǔ)， 觸及了近 650 億美元的市場。

建平臺：高功率產(chǎn)品為支點(diǎn)，底層技術(shù)為基礎(chǔ)，人才為核心，資本為紐帶。在 量產(chǎn)產(chǎn)品方面，長光華芯已做到全球最高功率，其單管和巴條產(chǎn)品在功率和效 率上都處于全球領(lǐng)先。底層技術(shù)平臺方面，長光華芯建成了全球唯二、國內(nèi)唯 一的 6 吋高功率半導(dǎo)體激光芯片晶圓垂直整合生產(chǎn)線，并在芯片設(shè)計、關(guān)鍵設(shè) 備、工藝技術(shù)和原材料方面實(shí)現(xiàn)自主可控。長光華芯也在按照 II-VI 的路徑進(jìn)行 材料技術(shù)平臺布局，其具備國內(nèi)首家 IDM GaAs 芯片 6 吋產(chǎn)線和 3 吋 InP 產(chǎn) 線，正在開發(fā)的 GaN 產(chǎn)品線有望在 2 年內(nèi)產(chǎn)生收入，同時在 SiC 方面積極考 慮布局。從工藝上看，外延生長決定性能、Fab 決定功率天花板、這二者都需 要長期工藝經(jīng)驗(yàn)積累，具備較高壁壘，并為長光華芯向更大功率進(jìn)發(fā)打下基 礎(chǔ)。公司百余名研發(fā)人員中有多位國家級技術(shù)專家人才及二十余名博士，在本 土半導(dǎo)體工藝人才不夠豐沛的前提下，團(tuán)隊(duì)經(jīng)多年培養(yǎng)而成，形成人才壁壘。 同時，公司通過投資、參股、籌備產(chǎn)業(yè)基金的形式借助資本力量持續(xù)發(fā)展，并 培育產(chǎn)業(yè)鏈土壤。

擴(kuò)品類：橫向擴(kuò)展三大芯片領(lǐng)域+縱向高功率垂直延伸一體化。參考國際廠 商，具備技術(shù)平臺后，因?yàn)楫a(chǎn)品的底層技術(shù)復(fù)用性強(qiáng)，產(chǎn)品線的擴(kuò)張成本將大 幅降低。具體來說，半導(dǎo)體激光器底層多為 GaAs/InP/GaN 材料，工藝也多為 設(shè)計+外延生長+Fab 制造+封測，其中外延生長和 Fab 制造能力有望完全復(fù) 用，設(shè)計和封測環(huán)節(jié)則需進(jìn)一步考慮應(yīng)用產(chǎn)品的情況。對于長光華芯而言，在 技術(shù)平臺化后，根據(jù)不同的應(yīng)用領(lǐng)域可以不斷橫向擴(kuò)展芯片產(chǎn)品，從大功率市 場走向小功率信號市場。同時，在 GaN 平臺開發(fā)完成后，可進(jìn)入可見光激光 市場及部分無線通信、電功率芯片市場；未來利用化合物半導(dǎo)體基礎(chǔ)將 SiC 平 臺逐漸開發(fā)完成后，則可以進(jìn)軍更大的電功率芯片市場，且能夠與大功率光芯 片形成配合，打造成套方案。在優(yōu)勢的高功率領(lǐng)域則可以深挖打通產(chǎn)業(yè)鏈，實(shí) 現(xiàn)縱向延伸。如在相對早期的車載激光雷達(dá)市場從 VCSEL 芯片延伸到模組； 在技術(shù)難度較高且市場規(guī)模有限的大功率激光市場，布局該產(chǎn)業(yè)鏈的封測環(huán) 節(jié)，并延伸至器件、模組、甚至激光器整機(jī)等業(yè)務(wù)，并由此形成核心優(yōu)勢競爭 力切入特殊應(yīng)用領(lǐng)域市場。