3D DRAM行業(yè)專題報告：3D DRAM時代或?qū)⒌絹恚瑖a(chǎn)DRAM有望迎來變革契機.pdf

3D DRAM行業(yè)專題報告：3D DRAM時代或?qū)⒌絹恚瑖a(chǎn)DRAM有望迎來變革契機。隨著摩爾定律推進速度放緩，DRAM技術(shù)工藝也逐漸步入瓶頸期。目前DRAM芯片工藝已到10nm級別，盡管10nm還不是 DRAM的最后極限，但多年來隨著DRAM制程節(jié)點不斷縮小，工藝完整性、成本、電容器漏電和干擾等方面的挑戰(zhàn)愈發(fā)明顯， 要在更小的空間內(nèi)實現(xiàn)穩(wěn)定的電荷存儲和讀寫操作變得日益困難。3D NAND Flash早已實現(xiàn)商業(yè)化應用，3D DRAM技術(shù) 尚在研發(fā)中，但隨著AI浪潮，大容量、高性能存儲器需求將大幅增加，3D DRAM有望成為存儲器市場的主流產(chǎn)品。

存儲巨頭紛紛布局3D DRAM技術(shù)，產(chǎn)業(yè)生態(tài)或迎變局

2024年3月，三星在加州舉行的Memcon 2024會議上公布了其3D DRAM開發(fā)路線圖，并計劃在2025年推出基于其垂直 通道晶體管技術(shù)的早期版本的3D DRAM。海力士在VLSI 2024會議上公布了其五層堆疊的3D DRAM產(chǎn)品，生產(chǎn)良率已達 56.1%。美光則在2019年就開始了3D DRAM的研究工作。存儲巨頭紛紛布局3D DRAM技術(shù)，產(chǎn)業(yè)生態(tài)或迎變局。