半導(dǎo)體行業(yè)深度跟蹤：存儲現(xiàn)貨價格高位趨穩(wěn)，設(shè)備材料等業(yè)績趨勢向好.pdf

半導(dǎo)體行業(yè)深度跟蹤：存儲現(xiàn)貨價格高位趨穩(wěn)，設(shè)備材料等業(yè)績趨勢向好。26 年 AI 終端創(chuàng)新與算力建設(shè)持續(xù)推進，驅(qū)動全球晶圓廠資本開支持續(xù)增長， 展望 26-27 年國內(nèi)先進邏輯及存儲產(chǎn)線擴產(chǎn)有望提速，設(shè)備國產(chǎn)化率迎來從 1 到 N 提升階段；國產(chǎn)算力需求持續(xù)高增，海光及沐曦 26Q1 彰顯高增長態(tài)勢； 26Q1 存儲合約價延續(xù)高增，大廠 26 年盈利預(yù)期樂觀，結(jié)構(gòu)性緊缺機會凸顯； 消費及車規(guī)等市場溫和復(fù)蘇，各類 SoC 廠商持續(xù)發(fā)力端側(cè) AI 落地。建議關(guān)注 受益于供需緊張的存儲、擴產(chǎn)周期的設(shè)備材料、需求持續(xù)向好的算力及代工等， 同時建議關(guān)注各科創(chuàng)指數(shù)和半導(dǎo)體指數(shù)核心成分股。

3 月 A 股半導(dǎo)體指數(shù)跑輸費城半導(dǎo)體指數(shù)及中國臺灣半導(dǎo)體指數(shù)。半導(dǎo)體 （SW）行業(yè)指數(shù)-14.87%，電子（SW）行業(yè)指數(shù)-13.51%，同期費城半導(dǎo)體 指數(shù)/中國臺灣半導(dǎo)體指數(shù)-6.30%/-12.96%。

行業(yè)景氣跟蹤：需求或受存儲漲價影響，預(yù)計存儲供給持續(xù)緊張。

1、需求端：26 年受制于存儲漲價，AI 終端創(chuàng)新與算力建設(shè)是亮點。手機： counterpoint 預(yù)計 2026 年全球手機銷量將同比-12.4%，中低端安卓手機下降 壓力較大，關(guān)注各大手機品牌 AI 手機新品迭代。PC：25Q4 全球出貨量同比 +9.6%，符合預(yù)期，26 年有存儲壓力，26-27 年 AI PC 升級周期望啟動。可 穿戴：25Q4 全球 AI 眼鏡出貨同比高增 525%，預(yù)計 26 年全球 AI 眼鏡銷量達 1600 萬臺；持續(xù)關(guān)注智能眼鏡、AI 耳機等新形態(tài)終端創(chuàng)新，例如 OpenAI 新 品、國內(nèi)阿里/字節(jié)等龍頭創(chuàng)新。服務(wù)器：26Q1 CSPs 需求推升服務(wù)器 DRAM 采購，短期供給仍緊縮，26M3 信驊營收 10.1 億新臺幣，同比+34%/環(huán)比持 平。汽車：年初行業(yè)進入季節(jié)性調(diào)整期，26M1 國內(nèi)汽車產(chǎn)銷量環(huán)比回落。傳 統(tǒng)燃油車與新能源車表現(xiàn)分化，新能源板塊受春節(jié)假期及補貼退坡預(yù)期影響， 短期需求有所走弱。

2、庫存端：功率 MCU 及模擬 DOI 環(huán)比下降，庫存調(diào)整基本完成。25Q4 海 外手機鏈芯片大廠平均庫存環(huán)比上升但 DOI 環(huán)比下降；PC 鏈芯片廠商 25Q4 庫存及 DOI 環(huán)比增長。TI 與 NXP 庫存?zhèn)湄浿螛I(yè)務(wù)需求或增長，ST 與安森 美實現(xiàn)去庫存且優(yōu)化成效顯著，均與業(yè)務(wù)戰(zhàn)略或市場需求相匹配。

3、供給端：2026 年全球晶圓廠資本開支持續(xù)增長，國內(nèi)先進及成熟制程擴 產(chǎn)均可期。1）存儲方面，預(yù)計 2026 年 DRAM 和 NAND 資本開支增長，但 預(yù)計整體位元產(chǎn)出有限。①預(yù)計 2026 年 DRAM 資本支出增長 14%，三大原 廠面向 1c 制程及 HBM4 擴張。②預(yù)計 2026 年 NAND 資本支出增長 5%，主 要系鎧俠 BiCS9/BiCS8 研發(fā)量產(chǎn)及美光 G9 和 eSSD。考慮到潔凈室空間限 制，DRAM 及 NAND 位元增長有限。③國內(nèi)存儲原廠預(yù)計持續(xù)擴產(chǎn)，市占率 有望持續(xù)提升；2）邏輯方面，2026 年全球晶圓代工資本支出的年增長預(yù)估 為 13%，多數(shù)企業(yè)的資本支出呈現(xiàn)小幅成長或持平狀態(tài)，資金主要投向先進 工藝產(chǎn)能，成熟制程工藝仍然處于積極擴產(chǎn)態(tài)勢；中芯/華虹等明年持續(xù)有新 增產(chǎn)能釋放。

4、價格端：26Q2 DRAM 和 NAND 合約價預(yù)計環(huán)比持續(xù)上漲，NAND 漲幅 將超過 DRAM 達 70-75%。DXI 指數(shù)近期漲勢放緩。現(xiàn)貨價方面，3 月 DRAM 出現(xiàn)回調(diào)，目前供需緊缺仍較高，預(yù)計不影響后續(xù)價格走勢。NAND 價格近 期漲勢強勁，數(shù)據(jù)中心對 NAND 需求持續(xù)增長，同時原廠擴產(chǎn)重心在 DRAM 與 HBM，預(yù)計后續(xù)價格仍強勁。合約價方面，26Q2 預(yù)估整體一般型 DRAM 合約價格仍將季增 58-63%。NAND Flash 市場持續(xù)由 AI、數(shù)據(jù)中心需求主導(dǎo)， 全產(chǎn)品線連鎖漲價的效應(yīng)不減，預(yù)計第二季整體合約價格將季增 70-75%。