捷捷微電（300623）研究報告：晶閘管龍頭的蛻變，MOS爆發(fā)深耕IDM更上層樓.pdf

捷捷微電（300623）研究報告：晶閘管龍頭的蛻變，MOS爆發(fā)深耕IDM更上層樓。公司專業(yè)從事功率半導(dǎo)體芯片和封裝器件的研發(fā)、設(shè)計、生產(chǎn)和銷售，主 營產(chǎn)品包括晶閘管、防護器件、二極管、MOSFET、IGBT 系列等。2017-2021 年營業(yè)收入 CAGR 為 42.43%，歸母凈利潤 CAGR 為 36.27%。

MOSFET 上升為第一大業(yè)務(wù)，車載放量。公司 2017 年成立 MOSFET 事業(yè)部， 先后引進無錫和上海團隊，2018-2021 年公司 MOSFET 產(chǎn)品收入從 0.14 億 元增長至 5.24 億元，CAGR 為 235%。2021 年 11 月，公司發(fā)布 13 款車規(guī) 級 JSFET SGT MOSFETs；2022 年 5 月，公司又推出了 32 款車規(guī)級 MOS，性 能不輸歐美大廠，已被汽車前裝及后裝市場客戶接受并大規(guī)模出貨。目前 車載 Tier1 廠商功率芯片短缺，景氣度高，公司車載 MOS 得到下游客戶及 整車廠商認可，未來車載 MOS 有望實現(xiàn)高速發(fā)展。目前公司 MOS 以在外 代工流片為主，但公司積極擴建 MOS IDM 產(chǎn)能。“高端功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)化 建設(shè)”項目一期九月下旬已進入試生產(chǎn)階段，二期正逐步投入設(shè)備；功率 半導(dǎo)體“車規(guī)級”封測產(chǎn)業(yè)化項目運用 DFN、LFPACK、TOLL、WCSP 先進封 裝技術(shù)，最終產(chǎn)品為各類車規(guī)級大功率器件和電源器件，完善 MOSFET 器 件高端封測能力，目前項目已經(jīng)開工建設(shè)，預(yù)計明年建設(shè)完成。

功率市場出現(xiàn)分化，行業(yè) 2023H2 有望觸底反彈。進入 21 年下半年以來功 率市場行情出現(xiàn)降溫，俄烏沖突及美聯(lián)儲加息背景下，消費領(lǐng)域需求疲軟， 導(dǎo)致消費類芯片價格出現(xiàn)松動，而光伏、工業(yè)、通信、汽車等高端市場景 氣保持，市場出現(xiàn)分化。捷捷目前重點發(fā)力的車載和光儲正是景氣高企的 高端市場。1988-2022 年全球半導(dǎo)體共出現(xiàn) 8 輪下行周期，平均持續(xù)時間 在一年左右，2022Q3 全球半導(dǎo)體行業(yè)銷售規(guī)模同比減少 3.04%。我們認為 隨著明年消費電子企穩(wěn)回升、新能源賽道景氣延續(xù)，半導(dǎo)體行業(yè)有望在明 年下半年觸底反彈。

晶閘管龍頭，傳統(tǒng)業(yè)務(wù)迎來反轉(zhuǎn)。公司晶閘管市占率全球第三、國內(nèi)第一， 21 年 7 月公司公告投資 5.1 億擴產(chǎn)，達產(chǎn)后預(yù)計可形成 6 英寸晶圓 100 萬 片/年的產(chǎn)能。晶閘管和防護器件下游家電和工控為主，明年隨著下游工控 和家電行業(yè)的復(fù)蘇，公司傳統(tǒng)業(yè)務(wù)也有望迎來反轉(zhuǎn)。

布局 IGBT、第三代半導(dǎo)體。公司 2021 年 12 月投資設(shè)立江蘇易矽科技，致 力于硅基 IGBT 及寬禁帶等功率器件的設(shè)計研發(fā)，從消費類產(chǎn)品開始，后期 會逐步延伸到光伏和汽車電子等高端領(lǐng)域。公司正在研發(fā)應(yīng)用于汽車電子 的 IGBT 產(chǎn)品，擬搭建 650V 及以上車規(guī)級 IGBT 平臺。6 寸片項目將建設(shè)配 套 IGBT 的 FRD 快恢復(fù)二極管產(chǎn)能，項目二期會布局 IGBT 小信號的模塊。