半導(dǎo)體存儲行業(yè)專題：短期存儲周期有望見底，中長期看好國產(chǎn)化加速.pdf

半導(dǎo)體存儲行業(yè)專題：短期存儲周期有望見底，中長期看好國產(chǎn)化加速。存儲芯片為集成電路第二大細(xì)分市場，具備廣闊的市場空間。存儲芯片作 為現(xiàn)代信息產(chǎn)業(yè)應(yīng)用最為廣泛的電子器件之一，在 5G、云計算以及 AI 等 新興產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展背景下，其重要程度與日俱增，具備廣闊的市場空間， 根據(jù) WSTS 數(shù)據(jù)，2022 年全球集成電路市場總規(guī)模約為 4799.9 億美元， 其中，存儲芯片市場規(guī)模約為 1344.1 億美元，占比 28%位居第二，僅次 于邏輯芯片。

DRAM 和 NAND 主導(dǎo)存儲市場，NOR Flash 聚焦利基領(lǐng)域。在經(jīng)歷了半 個世紀(jì)的發(fā)展，存儲芯片市場已形成以 DRAM 和 NAND Flash 為主的產(chǎn) 品構(gòu)成格局，當(dāng)前 DRAM 的技術(shù)發(fā)展主要以制程推進(jìn)為主，海外頭部廠 商已達(dá)到 10nm 工藝制程。NAND Flash 通過 3D 堆疊來實現(xiàn)存儲容量提 升，當(dāng)前海外龍頭企業(yè)均實現(xiàn)了 200+層數(shù)的突破。NOR Flash 則憑借其 可靠性強(qiáng)、讀取時間快和可執(zhí)行代碼的優(yōu)勢，在汽車電子、5G 基站等領(lǐng) 域具備需求剛性。

海外廠商高度壟斷，國產(chǎn)企業(yè)奮起直追。當(dāng)前存儲芯片行業(yè)被以三星為代 表的海外龍頭高度壟斷，存儲作為數(shù)據(jù)經(jīng)濟(jì)底盤，國家重視程度不斷上升， 長江存儲、長鑫存儲和兆易創(chuàng)新等國產(chǎn)存儲廠商正在奮起直追，不斷縮小 與海外龍頭的技術(shù)代差，其中，長鑫存儲作為國產(chǎn) DRAM 龍頭，2019 年 實現(xiàn) 8Gb DDR4 投產(chǎn)，目前已在合肥、北京完成 12 英寸晶圓廠建廠并投 產(chǎn)；而長江存儲在 NAND 領(lǐng)域取得不斷突破，在 2020 年成功研發(fā) 128 層 3D NAND 閃存產(chǎn)品；兆易創(chuàng)新則主攻 NOR Flash 利基市場，市場份額逐 年提升，2022 年在 NOR Flash 市場占有率全球第三、中國大陸第一。

供需情況逐步改善，存儲周期有望見底。半導(dǎo)體存儲行業(yè)遵循 3-4 年一個 周期循環(huán)，本輪周期于 2020 年開始，受經(jīng)濟(jì)下行影響導(dǎo)致下游需求持續(xù) 低迷，庫存壓力較大且產(chǎn)品價格持續(xù)走低，當(dāng)前存儲行業(yè)正處于下行階段。 隨著頭部存儲供應(yīng)商已經(jīng)啟動減產(chǎn)，整體來看 DRAM 和 NAND Flash 產(chǎn) 品均價跌幅呈現(xiàn)逐漸收斂態(tài)勢，疊加下半年季節(jié)性需求支撐，行業(yè)供需情 況逐步改善，存儲周期有望在 23H2 觸底。

國家網(wǎng)信辦對美光開展網(wǎng)絡(luò)安全審查，進(jìn)一步推動國產(chǎn)存儲器產(chǎn)業(yè)鏈發(fā) 展。2023 年 3 月，國家網(wǎng)信辦發(fā)布消息，為保障關(guān)鍵信息基礎(chǔ)設(shè)施供應(yīng) 鏈安全，防范產(chǎn)品問題隱患造成網(wǎng)絡(luò)安全風(fēng)險，維護(hù)國家安全，對美光科 技在華銷售的產(chǎn)品實施網(wǎng)絡(luò)安全審查。經(jīng)審查發(fā)現(xiàn)，美光科技的產(chǎn)品存在 較嚴(yán)重網(wǎng)絡(luò)安全隱患，對我國關(guān)鍵信息基礎(chǔ)設(shè)施供應(yīng)鏈造成重大安全風(fēng) 險，按照相關(guān)規(guī)定，國內(nèi)關(guān)鍵信息基礎(chǔ)設(shè)施運(yùn)營者應(yīng)停止采購美光科技的 產(chǎn)品。我們認(rèn)為，此次審查事件彰顯出國家對半導(dǎo)體安全可控以及信創(chuàng)工 程的高度重視，將進(jìn)一步推動國產(chǎn)存儲器產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展。