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      兆易創(chuàng)新研究報(bào)告:乘AI端側(cè)時(shí)代東風(fēng),國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)龍頭多條線蓄勢(shì)待發(fā)。深耕存儲(chǔ)與MCU領(lǐng)域,兆易創(chuàng)新產(chǎn)品品類加速拓寬。兆易創(chuàng)新成立于 2005 年,2008年公司成功推出國(guó)內(nèi)第一顆SPINORFlash,2013年公 司推出中國(guó)首顆ArmCortex-M內(nèi)核32位通用MCU,同年推出第一款 SPI NAND Flash,2015 年公司自主設(shè)計(jì)國(guó)內(nèi)首顆NANDFlash且成功 量產(chǎn),2020年公司實(shí)現(xiàn) 24nmSLCNANDFlash量產(chǎn),同年推出全國(guó)產(chǎn) 化24nm SPI NAND Flash,2021 年公司推出GD32L233系列全新低功 耗MCU,同年成立汽車產(chǎn)品部,2022年公司發(fā)布首款基于Cortex-M33 內(nèi)核的GD32A503系列車規(guī)級(jí)微控制器,同年GD5FSPINANDFlash 全系列已通過AEC-Q100車規(guī)級(jí)認(rèn)證,全面進(jìn)入汽車應(yīng)用領(lǐng)域,2023年 公司已成為全球排名前三的NORFlash 供應(yīng)商,累計(jì)出貨超212億顆。 據(jù)Web-Feet Research 報(bào)告顯示,2024年公司的Serial NOR Flash市 占率排名達(dá)到全球第二位,同年公司完成了對(duì)模擬芯片公司蘇州賽芯的收購(gòu)。

      半導(dǎo)體板塊核心分支,上行周期廣泛需求推動(dòng)規(guī)模增長(zhǎng)。存儲(chǔ)芯片又稱 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器,是一種用于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和讀取的電子器件,由一系列存儲(chǔ) 單元組成,每個(gè)存儲(chǔ)單元可以存儲(chǔ)一個(gè)或多個(gè)比特的數(shù)據(jù)。存儲(chǔ)器分為 易失性存儲(chǔ)(DRAM等)和非易失性存儲(chǔ)(Flash等)。根據(jù)Yole數(shù)據(jù), 2023 年DRAM市場(chǎng)規(guī)模在全球存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)中占比54%,NANDFlash 占比41%,NORFlash占比2.5%。據(jù)WSTS數(shù)據(jù),2025年全球存儲(chǔ)市 場(chǎng)規(guī)模有望升至2042.81億美元,同比增長(zhǎng)25%。

      NORFlash:市場(chǎng)規(guī)模未來5年有望持續(xù)增長(zhǎng),兆易創(chuàng)新2024年NOR Flash 產(chǎn)品市占率穩(wěn)居前三。NORFlash 芯片具備隨機(jī)存儲(chǔ)、可靠性強(qiáng)、 讀取速度快、可執(zhí)行代碼等特性,被廣泛應(yīng)用于物聯(lián)網(wǎng)、工業(yè)及汽車電 子、穿戴式設(shè)備等市場(chǎng)。根據(jù)MordorIntelligence預(yù)測(cè),預(yù)計(jì)2025年全 球NORFlash市場(chǎng)規(guī)模有望達(dá)到28.5億美元,預(yù)計(jì)2030年全球NOR Flash 市場(chǎng)規(guī)模有望達(dá)到38.2億美元,2025-2030年CAGR達(dá)6.01%。 兆易創(chuàng)新NORFlash產(chǎn)品種類齊全,產(chǎn)品覆蓋512kb到2Gb容量范圍, 針對(duì)不同應(yīng)用市場(chǎng)需求分別提供大容量、高性能、高可靠性、高安全性、 低功耗及低電壓、小封裝等多個(gè)系列產(chǎn)品。據(jù) Web-FeetResearch報(bào)告 顯示,公司2024年SerialNORFlash市占率排名位居全球第二。

      DRAM:價(jià)格逐步企穩(wěn),兆易創(chuàng)新定制化存儲(chǔ)布局有望受益AI端側(cè)浪潮。 DRAM通常用作CPU處理數(shù)據(jù)的臨時(shí)存儲(chǔ)裝置,主要應(yīng)用于PC、移動(dòng) 設(shè)備、服務(wù)器等領(lǐng)域。根據(jù)MordorIntelligence數(shù)據(jù)及預(yù)測(cè),2024年全 球DRAM市場(chǎng)規(guī)模612.1億美元,預(yù)計(jì)2029年全球DRAM市場(chǎng)規(guī)模有 望達(dá)到1700.8 億美元,2024-2029年CAGR達(dá)22.68%。在DRAM市 場(chǎng)中,利基型產(chǎn)品的份額穩(wěn)定在10%左右,盡管其市場(chǎng)規(guī)模相對(duì)主流 DRAM較小,但需求相對(duì)穩(wěn)定。2024 年下半年以來,利基DRAM產(chǎn)品 受全球經(jīng)濟(jì)環(huán)境波動(dòng)、行業(yè)庫(kù)存清理等因素影響,價(jià)格處于階段性底部。 

      模擬:行業(yè)規(guī)模+國(guó)產(chǎn)替代空間較大,兆易創(chuàng)新內(nèi)生外延加速布局模擬業(yè)務(wù)線。由于模擬IC在相當(dāng)多的實(shí)時(shí)連接設(shè)備和應(yīng)用中具有明顯的優(yōu)勢(shì), 物聯(lián)網(wǎng)等新興技術(shù)的引入和采用預(yù)計(jì)將推動(dòng)市場(chǎng)增長(zhǎng)。此外,由于智能 手機(jī)、消費(fèi)電子、計(jì)算機(jī)和存儲(chǔ)設(shè)備的普及以及電動(dòng)汽車銷量的增加, 近年來模擬IC的采用激增。根據(jù)MordorIntelligence數(shù)據(jù)及預(yù)測(cè),2024 年全球模擬集成電路市場(chǎng)規(guī)模為912.6億美元,預(yù)計(jì)到2029年將達(dá)到 1296.9 億美元,2024-2029 年CAGR為7.28%。全球前十大模擬芯片企 業(yè)均為海外大廠,國(guó)產(chǎn)企業(yè)替代空間較大。公司層面,兆易創(chuàng)新模擬六 大產(chǎn)品線積極布局,實(shí)現(xiàn)消費(fèi)及工業(yè)類產(chǎn)品全覆蓋,此外,兆易創(chuàng)新收 購(gòu)蘇州賽芯加強(qiáng)模擬業(yè)務(wù)線布局,增強(qiáng)技術(shù)與產(chǎn)品協(xié)同,模擬業(yè)務(wù)線規(guī) 模、深度、廣度持續(xù)提升。

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      兆易創(chuàng)新研究報(bào)告:乘AI端側(cè)時(shí)代東風(fēng),國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)龍頭多條線蓄勢(shì)待發(fā).pdf第1頁(yè) 兆易創(chuàng)新研究報(bào)告:乘AI端側(cè)時(shí)代東風(fēng),國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)龍頭多條線蓄勢(shì)待發(fā).pdf第2頁(yè) 兆易創(chuàng)新研究報(bào)告:乘AI端側(cè)時(shí)代東風(fēng),國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)龍頭多條線蓄勢(shì)待發(fā).pdf第3頁(yè) 兆易創(chuàng)新研究報(bào)告:乘AI端側(cè)時(shí)代東風(fēng),國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)龍頭多條線蓄勢(shì)待發(fā).pdf第4頁(yè) 兆易創(chuàng)新研究報(bào)告:乘AI端側(cè)時(shí)代東風(fēng),國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)龍頭多條線蓄勢(shì)待發(fā).pdf第5頁(yè) 兆易創(chuàng)新研究報(bào)告:乘AI端側(cè)時(shí)代東風(fēng),國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)龍頭多條線蓄勢(shì)待發(fā).pdf第6頁(yè) 兆易創(chuàng)新研究報(bào)告:乘AI端側(cè)時(shí)代東風(fēng),國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)龍頭多條線蓄勢(shì)待發(fā).pdf第7頁(yè) 兆易創(chuàng)新研究報(bào)告:乘AI端側(cè)時(shí)代東風(fēng),國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)龍頭多條線蓄勢(shì)待發(fā).pdf第8頁(yè) 兆易創(chuàng)新研究報(bào)告:乘AI端側(cè)時(shí)代東風(fēng),國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)龍頭多條線蓄勢(shì)待發(fā).pdf第9頁(yè) 兆易創(chuàng)新研究報(bào)告:乘AI端側(cè)時(shí)代東風(fēng),國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)龍頭多條線蓄勢(shì)待發(fā).pdf第10頁(yè) 兆易創(chuàng)新研究報(bào)告:乘AI端側(cè)時(shí)代東風(fēng),國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)龍頭多條線蓄勢(shì)待發(fā).pdf第11頁(yè) 兆易創(chuàng)新研究報(bào)告:乘AI端側(cè)時(shí)代東風(fēng),國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)龍頭多條線蓄勢(shì)待發(fā).pdf第12頁(yè)
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