半導(dǎo)體存儲行業(yè)專題報(bào)告：從國內(nèi)NOR Flash產(chǎn)業(yè)進(jìn)階看利基市場機(jī)遇.pdf

半導(dǎo)體存儲行業(yè)專題報(bào)告：從國內(nèi)NOR Flash產(chǎn)業(yè)進(jìn)階看利基市場機(jī)遇。存儲行業(yè)為全球半導(dǎo)體市場占比接近三分之一行業(yè)，但國內(nèi)存儲企業(yè) 相對弱小，在全球份額不高。近五年來我國上市存儲板塊加速增長， 并誕生一批在細(xì)分子板塊 NOR Flash、車規(guī) DRAM 和 EEPROM 等領(lǐng) 域具有全球競爭力的企業(yè)，我們選取國內(nèi)競爭力較強(qiáng)的 NOR Flash 產(chǎn) 業(yè)，借鑒其崛起路徑并分析當(dāng)前國內(nèi) Fabless 存儲企業(yè)的布局以及利基 存儲產(chǎn)業(yè)進(jìn)階的可能性。

國內(nèi)企業(yè)通過成本優(yōu)勢和市場機(jī)遇切入市場，并逐步形成從低到高的 替代。通過抓住 SPI NOR 滲透率提升和消費(fèi)電子機(jī)遇，兆易創(chuàng)新完成 了容量與單價(jià)的快速上升并躋身產(chǎn)業(yè)前三；普冉股份利用 SONOS 工 藝的成本優(yōu)勢以及中小容量需求的增長，其出貨量超過 26 億顆。

新增需求提供空間，與國內(nèi)企業(yè)優(yōu)勢匹配，而國內(nèi)晶圓代工產(chǎn)能自給 率上升帶來產(chǎn)能保障。物聯(lián)網(wǎng)與可穿戴設(shè)備的快速增長提供了行業(yè)新 的空間，而此類下游對中小容量的需求更匹配國內(nèi)企業(yè)的競爭優(yōu)勢， 而國內(nèi)晶圓代工產(chǎn)能自給率上升為 Fabless 企業(yè)提供產(chǎn)能保障，但同時(shí) 一定程度上帶來行業(yè)集中度的分散。

DDR3 市場變化與 2016-2017 年 NOR Flash 變化具有相似性，國內(nèi)企 業(yè)有望復(fù)制該路徑實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)進(jìn)階。1）半導(dǎo)體行業(yè)景氣導(dǎo)致有限資源的 再分配，頭部廠商三星退出釋放行業(yè)超過 30%的份額；2）中小容量 DDR3 產(chǎn)品在消費(fèi)電子領(lǐng)域依然具備旺盛需求，其不需要汽車電子行 業(yè)較高的行業(yè)認(rèn)證壁壘，同時(shí)對成本具備價(jià)格敏感性，符合國內(nèi)企業(yè) 從低端向高端滲透的增長邏輯；3）近年來國內(nèi)晶圓代工企業(yè)技術(shù)上的 日益成熟提供了產(chǎn)能支撐，相較于臺系 IDM 企業(yè)資本開支約束，國內(nèi) Fabless 公司在份額爭奪上占有先機(jī)；4）國內(nèi)利用先進(jìn)制程生產(chǎn)利基 產(chǎn)品的模式將構(gòu)成成本優(yōu)勢。

SLC NAND 同樣面臨國產(chǎn)替代機(jī)遇，國內(nèi)企業(yè)有望獲得份額。海外企 業(yè)逐步轉(zhuǎn)向工控與汽車領(lǐng)域，陸續(xù)退出 4Gb 以下中低容量 NAND市場， SLC NAND 主要玩家逐步轉(zhuǎn)向國內(nèi)大陸與臺企。如通信、汽車電子、 物聯(lián)網(wǎng)、可穿戴設(shè)備和工控等新興應(yīng)用場景的拓展，下游市場對具備 高可靠性、低功耗等特點(diǎn)的中小容量存儲芯片需求也持續(xù)上升，也為國內(nèi)企業(yè)帶來國產(chǎn)替代機(jī)遇。