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北交所行業主題報告：光刻膠+原材料壁壘突破，“專精特新”企業助力國產替代加速。光刻膠是光刻工藝關鍵材料，半導體光刻膠原材料+制造技術壁壘高。光刻膠是利用光化學反應經曝光、顯影、刻蝕等工藝將所需要的微細圖形從掩模 板轉移到待加工基片上的圖形轉移介質。光刻膠按應用領域分類可分為 PCB 光 刻膠、LCD 光刻膠、半導體光刻膠三大類，其中半導體光刻膠技術壁壘最高。 根據曝光波長的不同，半導體光刻膠可分為 G 線、I 線、KrF、ArF 和 EUV 五 種類型。光刻膠曝光波長越短，則加工分辨率越高，能夠形成更小尺寸和更精細 的圖案，目前最先進的光刻膠曝光波長已經達到了極紫外光波長范圍為 EUV 光 刻膠。半導體光刻膠技術壁壘主要集中于 1）原材料端：光刻膠的原材料包括樹 脂、光酸、添加劑和溶劑，我國原材料自給率總體較低，特別樹脂原材料，成本 占比接近 50%，且高端樹脂國產化量產供應量極低。2）制造端：光刻膠的配方 復雜，無法通過現有產品反推配方；同時驗證周期長，需要與客戶高度協同；此 外，高端光刻機設備購置及維護成本高，對光刻膠企業設備投入要求較高。

中國晶圓廠建設加速+芯片制程提升，驅動半導體光刻膠市場空間快速增長。全球半導體制程向著更先進、更精細化方向發展，驅動半導體制造對光刻膠需求 增長。KrF 光刻膠：隨著 3D NAND 堆疊層數迅速增加，對光刻膠的使用量也將 大幅提升；ArF 光刻膠：主要用于先進制程的多重光刻工藝，其用量也隨著市場 對先進工藝產品的需求不斷增長； EUV 光刻膠：先進制程道次的增加，推動其 使用量將大幅增加。截至 2023 年 11 月，中國晶圓廠已建成 44 座，預計至 2024 年底，將建立 32 座大型晶圓廠，且全部鎖定成熟制程。預計 2024-2026 年中國 大陸半導體光刻膠總體需求量增速將快速復蘇，達到 12.04%、11.50%和 7.71%。

半導體光刻膠+原材料壁壘突破，“專精特新”企業助力國產進口替代加速。我國光刻膠行業發展起步較晚，生產能力主要集中在 PCB 光刻膠等中低端產品， 高端半導體光刻膠被美日企業壟斷。北交所作為“專精特新”中小企業的主陣地， 新三板作為“專精特新”中小企業的重要后備力量，光刻膠領域聚集了一批具備 稀缺性的優質公司，在細分領域上通過半導體光刻膠+原材料壁壘突破，助力光 刻膠實現國產替代。佳先股份：子公司英特美實施建設年產 700 噸電子材料中間 體項目，其中對乙酰氧基苯乙烯產能為 500 噸/年，可用于合成 KrF 和 EUV 光刻 膠樹脂主要成分聚對羥基苯乙烯；此外，公司加強同徐州博康的交流，并在此前 達成的戰略合作意向的基礎上，進一步深化合作。2024Q1 實現營收 1.47 億元 （+18.43%），歸母凈利潤 1091.03 萬元（-0.07%）。瑞紅蘇州：公司是目前我國 唯一一家擁有全系列波長（436/365/248/193nm）光刻機研發平臺的光刻膠生產 企業。KrF、ArF 光刻膠生產及測試線已經建成，KrF 光刻膠部分品種已量產。 截至 2023 年末公司已有多款 ArF 高端光刻膠在研并送樣，多款 KrF 光刻膠批 量出貨半導體客戶。2023 年實現營收 2.46 億元（+9.10%），歸母凈利潤 2639.58 萬元（-22.91%）。