半導(dǎo)體存儲行業(yè)專題報(bào)告：新應(yīng)用發(fā)軔，存力升級大勢所趨.pdf

半導(dǎo)體存儲行業(yè)專題報(bào)告：新應(yīng)用發(fā)軔，存力升級大勢所趨。行業(yè)下行周期加速見底，H2拐點(diǎn)將至。國際存儲巨頭相繼宣布削減資本開支并減產(chǎn)，以減少行業(yè)供應(yīng)，加速修復(fù)存儲市場供需平衡，我們判斷 各廠商的減產(chǎn)動(dòng)作在H2會(huì)逐漸顯現(xiàn)成效。盡管目前下游應(yīng)用需求復(fù)蘇仍不明朗，DRAM和NAND Flash下行周期尚未終止，但隨著終端客戶和 渠道商的庫存逐步緩解，存儲廠商拒絕再降價(jià)出售甚至詢單報(bào)價(jià)頻傳上漲，定價(jià)趨勢向好，Q3部分新一代存儲產(chǎn)品有望率先迎來上漲。

存儲行業(yè)激蕩六十載，半導(dǎo)體中大宗商品。存儲占集成電路1/4以上份額，具有與集成電路較同步但更劇烈的周期性，2021年全球半導(dǎo)體存儲器 市場中，DRAM占比達(dá)56%，NAND Flash約占41%。目前DRAM和NAND Flash均呈現(xiàn)海外玩家寡頭壟斷的格局，我國大部分廠商還是與國際 龍頭進(jìn)行錯(cuò)位競爭，聚焦利基型市場；我國NOR Flash芯片技術(shù)基本成熟，例如兆易創(chuàng)新的NOR Flash在全球已經(jīng)取得前三市占率。

AI & 汽車電子發(fā)軔，新應(yīng)用激發(fā)新動(dòng)能。存儲的下游應(yīng)用過去以手機(jī)、PC和服務(wù)器為主，以手機(jī)、PC為例的消費(fèi)電子自去年以來需求持續(xù)低 迷，至今復(fù)蘇需求仍不明朗，而人工智能和汽車電子作為新興應(yīng)用方興未艾，激發(fā)大量增量需求。在年初現(xiàn)象級AIGC應(yīng)用ChatGPT出圈后，全 球科技巨頭爭相在AI領(lǐng)域發(fā)力，將刺激更多配套的存儲器用量。另一方面，隨著新能源汽車發(fā)展與汽車智能化不斷演進(jìn)，汽車有望成長為新一代 的智能終端，或?qū)?fù)制手機(jī)、PC的發(fā)展路徑，依賴于存儲空間的提升來支持ADAS、高精度地圖、事故記錄、娛樂等功能的突破。

存力升級大勢所趨，新興存儲技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生。 隨著近幾年云計(jì)算和人工智能應(yīng)用的發(fā)展，面對計(jì)算中心的數(shù)據(jù)洪流，處理器、內(nèi)存發(fā)展速度不 均衡，數(shù)據(jù)搬運(yùn)慢、搬運(yùn)能耗大等問題成為了計(jì)算的關(guān)鍵瓶頸。在此背景下，存算一體、HBM、CXL等新興存儲技術(shù)路徑備受關(guān)注，尤其是 HBM已經(jīng)成為高端AI服務(wù)器標(biāo)配，TrendForce預(yù)估2023年全球HBM需求量將年增近六成，來到2.9億GB，2024年將再成長三成。