電子行業晶圓代工專題2：存儲代工需求放量疊加產能轉移，大陸本土邏輯代工景氣度上行.pdf

電子行業晶圓代工專題2：存儲代工需求放量疊加產能轉移，大陸本土邏輯代工景氣度上行。引言：AI 加速存儲需求爆發，存儲行業開啟新一輪上行周期，推動存儲廠商產能擴張及 技術迭代，無論是 NAND 和 DRAM 的存儲-邏輯雙晶圓架構，還是 HBM 的 Base Die 的工藝升級，共同打開存儲領域對邏輯代工的需求增量。本文將聚焦 DRAM、NAND 及 HBM 三大核心產品，以及 CoWoS 中介層需求和成熟制程產能轉移，測算大陸 Fab 邏 輯代工的增長潛力。

DRAM：隨著 DRAM 工藝制程逐步發展，其外圍電路工藝從 HKMG 發展至 FinFET。 據 YOLE 數據，行業目前正在推進 CMOS 鍵合陣列（CBA）技術研發與落地，泛林也 表示在 4F²中 CMOS 部分將會與存儲列陣以 Bonding 形式相結合，海力士也在推動此 類技術發展，CBA 架構為存儲密度的持續提升開辟新的技術路徑。據我們測算，在 CMOS 邏輯晶圓與 DRAM 晶圓 1:1 鍵合的模式下，DRAM CBA 架構預計在 2030 年為 全球邏輯代工市場新增 71 萬片/月產能需求，其中本土邏輯代工需求將達到 49 萬片/ 月。

NAND：在 3D NAND 領域，國際市場長期以 PNC、PUC 架構為主流，而長江存儲依 托獨創的 Xtacking 架構實現技術突圍。該架構可搭載更先進的邏輯工藝，進而大幅提 升 NAND 產品的性能。隨著 NAND 外圍電路要求逐步提高至 HKMG，分離架構是一種 更好的選擇，海外廠商正逐步跟進布局類似 Xtacking 的 CBA 架構，其中鎧俠已率先將 CBA 技術導入 3D NAND 量產產品線，據我們預計，在 2030 年 NAND 將會給邏輯晶 圓代工需求帶來 142.8 萬片/月的需求，其中本土廠商帶來的需求為 59 萬片/月。

HBM 及 CoWoS：在 HBM3E 及之前的版本中，Base Die 均由存儲廠商自主采用 DRAM 制程完成制造，但是隨著 AI 服務器性能不斷增長，Base Die 要求也隨之升級。我們預 計到 2030 年 HBM 將會帶來的 12 寸晶圓產能需求大約為 7 萬片/月，本土需求大約為 1.4 萬片/月。CoWoS 需求持續火熱，據我們預計，CoWoS 中介層對 12 寸晶圓的需求 在 2030 年將會達到 15.6 萬片/月，其中本土需求為 3.9 萬片/月。

產能轉移：據 TrendForce 數據，受臺積電、三星主動削減 8 英寸產能影響，2025 年 全球 8 英寸產能同比下降約 0.3%，2026 年收縮幅度預計擴大至 2.4%。結合 SEMI、 TrendForce 及 Omdia 數據測算，若臺積電、三星全面退出 8 英寸晶圓制造，將導致 全球 8 英寸產能減少約 10%。在 12 英寸領域，臺積電亦逐步縮減其成熟制程產能。 隨著臺、韓廠商成熟制程產能持續收縮，國內晶圓廠有望承接更多外溢需求。