SK海力士公司研究報(bào)告:AI全棧存儲的價(jià)值重估.pdf
- 上傳者:榮*****
- 時(shí)間:2026/01/19
- 熱度:242
- 0人點(diǎn)贊
- 舉報(bào)
SK海力士公司研究報(bào)告:AI全棧存儲的價(jià)值重估。
HBM 龍頭地位持續(xù)鞏固,DRAM 全棧完善,形成雙引擎增長格局
HBM 的帶寬、能效與封裝難度遠(yuǎn)高于傳統(tǒng) DRAM,而 AI 芯片算力利用率高 度依賴 HBM 供給,使其成為 GPU/ASIC 系統(tǒng)擴(kuò)建的核心瓶頸之一。得益于 TSV 良率、MR-MUF 鍵合技術(shù)與 1β/1γ節(jié)點(diǎn)的領(lǐng)先積累,海力士在 HBM3E/4 客戶認(rèn)證進(jìn)度上保持行業(yè)領(lǐng)先,2025Q3 全球市占率約 60%。同時(shí), 行業(yè) HBM 擴(kuò)產(chǎn)持續(xù)擠壓 DDR5 產(chǎn)能,而 AI 服務(wù)器對 DDR5、MRDIMM 的 需求快速增長,使 DRAM 出現(xiàn)結(jié)構(gòu)性偏緊,我們預(yù)計(jì)至少持續(xù)到 2026 年底。 我們也建議關(guān)注中國存儲廠商擴(kuò)產(chǎn)對整體產(chǎn)能的邊際影響。海力士在 DDR5、 MRDIMM、LPDDR5X、GDDR7 全棧產(chǎn)品上具備完整布局,制程工藝在功耗 與性能端形成顯著優(yōu)勢。因此,公司在 HBM 獲得高成長的同時(shí),也有望在 DRAM 價(jià)格上行周期顯著受益,收入結(jié)構(gòu)呈現(xiàn)雙驅(qū)動(dòng),盈利彈性或優(yōu)于行業(yè)。
HBF 或成下一代中間帶寬層,海力士具備前瞻生態(tài)話語權(quán)
隨著模型規(guī)模持續(xù)擴(kuò)大,HBM 雖具高帶寬,但成本與封裝復(fù)雜度限制其向 更大容量延伸;NAND 雖具容量優(yōu)勢,卻無法滿足推理對中間態(tài)數(shù)據(jù)的帶寬 需求,HBF(High Bandwidth Flash)正成為補(bǔ)足該缺口的新層級,可在 HBM 與 eSSD/NAND 之間提供更高的吞吐、并承載 KV Cache、embedding 與檢索向量等大規(guī)模中間數(shù)據(jù)。海力士是最早推動(dòng) HBF 產(chǎn)業(yè)化的廠商,在 OCP、SC25 中展示了控制器架構(gòu)、數(shù)據(jù)協(xié)議與軟硬件協(xié)同路線,擁有生態(tài) 話語權(quán)。HBF 在通道并行度、接口帶寬、數(shù)據(jù)組織與持久化路徑上皆需重 新設(shè)計(jì),技術(shù)壁壘高且具標(biāo)準(zhǔn)主導(dǎo)性質(zhì)。我們認(rèn)為 HBF 或?qū)⒊蔀?AI 數(shù)據(jù)中 心新的關(guān)鍵層,而海力士是該領(lǐng)域最具先發(fā)優(yōu)勢的參與者之一。
我們與市場觀點(diǎn)不同之處
市場當(dāng)前普遍聚焦于 HBM 的量價(jià)走勢與市占格局,但我們認(rèn)為真正驅(qū)動(dòng)行 業(yè)估值重構(gòu)的核心因素是 AI 推理所具備的高并發(fā)量、長上下文、多模態(tài)、 外部知識檢索持久化的趨勢下的多層級存儲體系:1)大模型推理的 KV Cache 隨上下文長度線性增長,須放在 DDR5/LPDDR 或更大容量的 HBF 上;2)RAG 需要頻繁訪問海量的嵌入向量,導(dǎo)致數(shù)據(jù)吞吐量跳變,傳統(tǒng) DRAM-only 方案已無法平衡成本與容量;3)多模態(tài)推理帶來輸入數(shù)據(jù)量大 幅上升和中間 embedding 特征膨脹。英偉達(dá)下一代 Rubin 亦采用 HBM4、 SOCAMM2 與 GDDR7 的組合,進(jìn)一步強(qiáng)化這一趨勢。我們認(rèn)為海力士不 僅是 HBM 龍頭,更是先于行業(yè)推動(dòng) HBF、DDR 模組與高性能 eSSD 協(xié)同 演進(jìn)的廠商,或可更早獲得客戶的系統(tǒng)級黏性。
免責(zé)聲明:本文 / 資料由用戶個(gè)人上傳,平臺僅提供信息存儲服務(wù),如有侵權(quán)請聯(lián)系刪除。
- 相關(guān)標(biāo)簽
- 相關(guān)專題
- 全部熱門
- 本年熱門
- 本季熱門
- 半導(dǎo)體存儲行業(yè)深度研究報(bào)告:企業(yè)級需求高增,驅(qū)動(dòng)新一輪存儲超級周期.pdf 403 6積分
- 電子行業(yè)專題報(bào)告:存儲芯片漲價(jià)將延續(xù)至2026年.pdf 391 6積分
- 兆易創(chuàng)新研究報(bào)告:存儲龍頭多元布局,深度受益AI+國產(chǎn)替代.pdf 334 6積分
- 半導(dǎo)體行業(yè)1月投資策略:關(guān)注FAB和存儲大廠擴(kuò)產(chǎn)鏈及周期復(fù)蘇的模擬芯片.pdf 325 6積分
- 佰維存儲研究報(bào)告:存儲解決方案領(lǐng)先者,加碼布局晶圓級先進(jìn)封裝.pdf 317 6積分
- 半導(dǎo)體行業(yè)深度跟蹤:國內(nèi)設(shè)備算力代工等板塊業(yè)績增長向好,關(guān)注存儲模擬等復(fù)蘇態(tài)勢.pdf 305 8積分
- 兆易創(chuàng)新研究報(bào)告:短期看DDR4漲價(jià);中長期看存算一體存儲.pdf 297 5積分
- 兆易創(chuàng)新研究報(bào)告:乘AI端側(cè)時(shí)代東風(fēng),國產(chǎn)存儲龍頭多條線蓄勢待發(fā).pdf 290 6積分
- 存儲行業(yè)專題報(bào)告:主流存儲迎來全面漲價(jià),企業(yè)級產(chǎn)品需求持續(xù)向好.pdf 275 6積分
- SK海力士公司研究報(bào)告:AI全棧存儲的價(jià)值重估.pdf 243 6積分
- 半導(dǎo)體存儲行業(yè)深度研究報(bào)告:企業(yè)級需求高增,驅(qū)動(dòng)新一輪存儲超級周期.pdf 403 6積分
- 電子行業(yè)專題報(bào)告:存儲芯片漲價(jià)將延續(xù)至2026年.pdf 391 6積分
- 半導(dǎo)體行業(yè)1月投資策略:關(guān)注FAB和存儲大廠擴(kuò)產(chǎn)鏈及周期復(fù)蘇的模擬芯片.pdf 325 6積分
- 半導(dǎo)體行業(yè)深度跟蹤:國內(nèi)設(shè)備算力代工等板塊業(yè)績增長向好,關(guān)注存儲模擬等復(fù)蘇態(tài)勢.pdf 305 8積分
- 兆易創(chuàng)新研究報(bào)告:短期看DDR4漲價(jià);中長期看存算一體存儲.pdf 297 5積分
- 存儲行業(yè)專題報(bào)告:主流存儲迎來全面漲價(jià),企業(yè)級產(chǎn)品需求持續(xù)向好.pdf 275 6積分
- SK海力士公司研究報(bào)告:AI全棧存儲的價(jià)值重估.pdf 243 6積分
- 兆易創(chuàng)新研究報(bào)告:端側(cè)AI存儲龍頭,空間足&格局優(yōu).pdf 212 6積分
- 兆易創(chuàng)新深度報(bào)告:存儲+MCU國內(nèi)龍頭,端側(cè)AI與國產(chǎn)替代共驅(qū)增長.pdf 202 5積分
- 香農(nóng)芯創(chuàng)研究報(bào)告:存儲需求擴(kuò)張,“分銷+產(chǎn)品”業(yè)務(wù)雙受益.pdf 187 6積分
- 電子行業(yè)存儲專題系列2:如何看待此輪存儲周期的不同.pdf 146 4積分
- 電子行業(yè)MemoryS 2026閃存大會跟蹤報(bào)告:行業(yè)缺貨或?qū)⒀永m(xù)至27年,關(guān)注未來存儲技術(shù)創(chuàng)新重構(gòu).pdf 82 10積分
- 美光科技-MU.US-HBM構(gòu)筑高彈性空間,技術(shù)升級疊加擴(kuò)產(chǎn)共塑份額紅利.pdf 80 4積分
- 閃迪-SNDK.US-AI基建驅(qū)動(dòng)存儲景氣,供需共振盈利彈性突出.pdf 74 4積分
- 電子行業(yè)深度研究:算力硬件業(yè)績高增長,繼續(xù)看好AI、存儲與自主可控產(chǎn)業(yè)鏈.pdf 73 5積分
- 帝科股份-300842-深度研究:立足光伏漿料之基,騰飛存儲芯片之勢.pdf 68 3積分
- 全球存儲芯片行業(yè)深度剖析:數(shù)字經(jīng)濟(jì)時(shí)代的核心引擎:技術(shù)、市場與格局的全面變革.pdf 65 3積分
- 北京研精畢智信息咨詢有限公司-全球存儲芯片行業(yè)深度剖析:數(shù)字經(jīng)濟(jì)時(shí)代的核心引擎,技術(shù)、市場與格局的全面變革.pdf 52 3積分
