電子行業(yè)MemoryS 2026閃存大會跟蹤報告：行業(yè)缺貨或?qū)⒀永m(xù)至27年，關(guān)注未來存儲技術(shù)創(chuàng)新重構(gòu).pdf

電子行業(yè)MemoryS 2026閃存大會跟蹤報告：行業(yè)缺貨或?qū)⒀永m(xù)至27年，關(guān)注未來存儲技術(shù)創(chuàng)新重構(gòu)。

招商電子團隊近日參加了在深圳舉辦的 MemoryS 2026 閃存大會，三星電子、 鎧俠、閃迪、Solidigm、江波龍、群聯(lián)電子、大普微等國內(nèi)外存儲公司出席了大 會并對 AI 推理對 NAND 需求變化、eSSD 技術(shù)演進、端側(cè) AI 存儲發(fā)展等做了 非常詳細的主題演講，我們整理了本次大會演講的核心觀點，供投資者參考。

需求端：AI 正快速吞噬存儲半導體產(chǎn)能，eSSD 為 2026 年 NAND 最大應用 市場。AI 服務器存儲用量是通用服務器的 4-5 倍，2026 年 AI 需求中 SOCAMM、服務器 NAND、服務器 DRAM、HBM 預計同比增長 150%、63%、 44%、35%。DRAM 的下游中，服務器 2026 年占比將超過 50%。AI 推理驅(qū) 動 eSSD 成為 2026 年 NAND 最大應用市場，預計 KV Cahce 的占用提升疊 加 HDD 短缺帶來的 QLC 增長將會導致服務器 2026 年占 NAND 應用的 37%。 上下文的增長帶來 KV cache 呈現(xiàn)指數(shù)級增長，據(jù)估算，單次提示推理上下文 128k tokens 會產(chǎn)生約 61GB KV cache，如果 100k 用戶每次對話 64k tokens， 均進行 15 次對話，則會產(chǎn)生 45PB KV cache，HBM 與 DRAM 無法承接龐大 的 KV cache，因此需要下放到 eSSD，高性能 eSSD 能夠降低成本同時滿足 推理需求。關(guān)于谷歌 TurboQuant 技術(shù)有效降低 KV cache 內(nèi)存消耗，行業(yè)人 士認為部分自媒體解讀有所偏頗，普遍認為并不會對存儲需求造成影響，其 降低每 token 成本會使得 token 消耗量會被進一步放大，存儲需求消耗也將更 為龐大。

供給端：結(jié)構(gòu)性錯配，短缺已成常態(tài)。2026-2027 年存儲產(chǎn)能增量有限，2026 年全球沒有任何一類主流 AI 存儲可以實現(xiàn)完全供需平衡，預計存儲短缺將持 續(xù)至 2027-2028 年。供給也從野蠻擴產(chǎn)轉(zhuǎn)向紀律性增產(chǎn)，2023-2026 年整體 NAND bit 出貨量增長保持在 10%-20%的增速。

價格端：預計存儲價格在 2026 年全年維持上漲，且呈現(xiàn)逐季收斂態(tài)勢。根據(jù) 大會各位演講嘉賓以及會下和各展臺行業(yè)人士交流，大家普遍認為 2027 年價 格趨勢預測難度較大，尚未給出準備判斷。

庫存端：消費級產(chǎn)能被持續(xù)擠壓，DOI 已跌至歷史安全線以下。存儲原廠先 進產(chǎn)能投入高毛利 AI 存儲，成熟制程、消費級產(chǎn)能被持續(xù)積壓，行業(yè)庫存周 轉(zhuǎn)天數(shù)從 2023 年的 10-12 周→2024 年 8-10 周→2025 年 5-6 周→2026 年的 4 周，跌到歷史安全線以下。